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etching
having the same rate of etching in both vertical and horizontal direction
related to chemical process 1. etching parameter
에칭에서 주로 사용되는 용어들에 대한 정리
2. dry etching
dry etching의 종류, 메커니즘, 사용되는 가스와 장단점 그리고 장비들을
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●에칭이란?
기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정
●등방성에칭
일차적으로 반도체 물질들을 산화시킨 후 그 산화물을 식각하는 방법
●이방성에칭
결정
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식각(Etching) 공정은 웨이퍼 표면의 선택된 부분을 제거하기 위해서 사용되는 공정.
포토 레지스트 패턴을 마스크로 하고 마스크 아래 부분과 외부에 노출된 부분의 화학 반응을 다르게 하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같
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)을 이용한 에칭
Dry Etching은 화학적 약품 대신 가스를 사용하여 플라즈마 상태에서 물리적 반응을 일
으켜 부식 시키는 것을 말한다. ex) 이온을 이용
◎참고문헌
- 에칭
http://terms.naver.com/entry.nhn?cid=2916&docId=1583916&mobile&categoryId=2916 (네이버 지
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고찰 및 향후 연구 방향:본 실험 결과는 실리콘 웨이퍼의 정밀 가공에 KOH 에칭이 매우 유효한 방법임을 보여준다. 그러나 에칭 과정에서 발생할 수 있는 표면 거칠기의 증가는 특정 응용 분야에서의 사용에 제한을 줄 수 있으므로, 이를 최소
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