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하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 1.Etching의 정의
2.Etching의 종류
3.플라즈마의 정의
4.Plasma Etching
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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고자료
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Many Atoms In A Surface?
3. Information Required
4. Surface Sensitivity
5. Radiation Effects
- 진공의 정의 그리고 진공펌프 & 진공게이지 -
1. Gases And Vapours
2. The Pressure Regions Of Vacuum Technology And Their Characteristics
3. Production Of A Vacuum
4. Measurement Of Low Pressures
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정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 sputter를 이용하여 Ar기체가 플라즈마 상태가 되어 Cu원자와 탄성충돌, 그 결과 구리
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