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Dry etcher의 분류
플라즈마 식각 장치
반응성 이온 식각 장치
(Reactive ion etching, RIE)
이온 빔 밀링(Ion beam milling)장치 Etching의 정의, 방법
Dry etching의 개요, 분류
Plasma etching, Ion beam milling
Reactive ion etching
공정 변수에 따른 식각
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etching 이란?
일반적으로 플라즈마와 같이 gas를 이용하거나, 이온주입이나 sputtering등과 같이 이온이나 전자를 이용한 식각.
1. 물리적 방법- Sputter Etching
2. 화학적 방법 – Plasma Etching
3. 물리, 화학적 방법- RIE (Reactive Ion Etching)
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Dry EtchingECR-RIE
┃ 식각 공정
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식각 공정은 마스크를 사용하는 선택 식각과 그렇지 않은 전면 식각으로 나룰 수 있다.
1. 선택 식각 : 마스크 사용, 직접 회로 프로세스의 핵심 기술
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Etching(RIE)이후에 Cleaning하는 방법
a. SPM(황산:과산화수소=1:1) 10min
b. APM(암모니아:과산화수소:Di Water=1:1:5) 15min
c. HPM(염산:과산화수소:Di Water=1:1:5) 10min
d. BOE: SiO2만 제거, Si는 제거 불가능
(5) Di Water로 헹굼
SPM과정을 거친후 다시 물에 행군다
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Etching
ⅰ) Plasma Etching → chemical
［플라즈마가 채워진 공간에 기판을 담그는 방식］
ⅱ) Sputter Etching → physical
［아르곤(Ar)과 같은 가스로 기판 표면에 충격을 가해 불필요한 부분을 깎아내는 방식］
ⅲ) RIE (Reactive Ion
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RIE;Reactive Ion Etching process)과 UV 몰딩 공정을 사용하여 광 투과성 분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정
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