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하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 1.Etching의 정의
2.Etching의 종류
3.플라즈마의 정의
4.Plasma Etching
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종류와 비율, 온도에 의해 에칭속도가 영향을 받음 Etching(식각)이란?
Etching(식각)의 종류
Wet Etching(습식식각)
Wet Etching의 처리 방식
Wet Etching의 특성
각종 박막에 대한 Wet Etching의 적용
각종 박막의 Wet Etching 특성
Wet Etching의 문제점과 해
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실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고자료
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에칭작업을 통해 재료의 미세조직을 관찰할 수 있는 최적의 조건을 만든 후 현미경으로 관찰해야 한다. 특히 현미경 특성 때문에 에칭이 필요한데 그 이유는 미세조직 관찰 현미경이 빛의 전반사와 난반사의 효과에 의존하므로 일부로 부식
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에칭작업을 통해 재료의 미세조직을 관찰할 수 있는 최적의 조건을 만든 후 현미경으로 관찰해야 한다. 특히 현미경 특성 때문에 에칭이 필요한데 그 이유는 미세조직 관찰 현미경이 빛의 전반사와 난반사의 효과에 의존하므로 일부로 부식
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