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A
1.55mA
0.007mA
1.117mA
1.11mA
1.11mA
1.11mA
0.007ma
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0.78mA
0
0.658mA
0.66mA
0.66mA
0.66mA
0.002mA
<표 1 이론값과 측정값 비교>
5. 결론
▶ 실험에 사용 된 회로는 옴의 법칙, 테브난 정리, 노오튼 정리를 통해 모두 부하에 흐르는 전류를 구할 수
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계산된 병렬 회로의 등가 저항 값과 (7)∼(8) 의 과정에서 얻은 실험치를 비교한다.
참고문헌
기초 물리학 실험(한국 물리학회편)
일반물리학 실험(청문각)
물리학 총론 1.실험 목적
2.실험원리
폐회로 정리
옴의 법칙
3.실험 방법
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옴의 법칙이라 한다.
이것을 식으로 나타내면,
같고, 회로에 흐르는 전류의 크기는 전압에 비례하고 저항에 반비례라고 말한다.
여기서 I(전류)의 단위는 Α(암페어)이고, V(전압)의 단위는 V(볼트), R(저항)의 단위는 Ω(옴)이다.
노튼의 정리(Norto
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에 비해 매우 크거나, 판의 중심부에서는 이러한 가장자리 효과를 무시할 수 있고, 근사적으로 오른쪽 그림과 같이 생각할 수 있다.포갬의 원리에 의해 두 판에 의한 전기장은 각 판이 만드는 전기장을 더하여 얻을 수 있다. a와 c에서는, 판1과
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1. 목적
2. 이론
1) 옴의 법칙(Ohm\'s law)
(2) 테브난(Thevenin)의 정리
(2) 기본 회로
(3) 응용회로(중첩의 원리 적용, 아래 그림 참조)
(3) 노튼의 정리
3. 실험
*옴의 법칙, 테브난, 노오튼의 정리를 이용한 이론치 계산
1. RL1 = 1kΩ
2. RL2 =
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