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회로가 간단하다. 이 실험 또 한 비교 대상이 없기에 어떻다라고 결론 내릴 것이 없다. BJT 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
1. 실험 결과 데이터
(1) ß의 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로 (RE = 0Ω)
(4) 콜렉터
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공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과 유사한가?
(a) 공통베이스 증폭기(b) 공통컬렉터 증폭기
(a) 공통이미터 증폭기(b) 이미터플로어
⇒ 위상이 180° 차이가 나며 회로의 모든 구성이 BJT와 거의 유사하다.
(위에서 자세히
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.
■전압이득
■입력저항
■출력저항
■전류이득
■전력이득
CE(Common-Emitter )
Ri
중 간
Ai
크 다
Av
크 다
Ro
중 간
DC해석
AC해석
= 1.소신호 증폭기
2.h-parameter
3.r-parameter
4.공통베이스 (Common-Base)
5.공통컬렉터증폭기 (Common-Collector,CC)
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이미터-접지간의 교류 파형도 측정하여 기록한다.
8. 증폭기의 교류 이득을 계산하여 기록한다.
9. 음성 신호 발생기의 출력을 그대로 둔 채, C3을 회로에서 제거한다.
10. 과정 7과 8을 반복한다.
11. RE를 단락시킨다.
12. 과정 7과 8을 반복한다.
<
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이미터 접지 증폭 회로에서 출력 파형의 왜곡에 따른 포화 상태의 도달에 대해서 알 수 있는 실험이였다. 실험이 대체적으로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비슷하게 나와 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
3. 결론 이미터 접지 증폭기에 대해 실
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시뮬레이션을 통한 포화영역 확인-----------------------(p.9)
(6)저항 값 오차 ±10%에 따른 CMRR 크기--------------------(p.10)
7. 결과 및 고찰------------------------------------------(p.10)
8.참고문헌-----------------------------------------------(p.10)
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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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컬렉터는 교류 접지되어 있다.
는 매우 작아서 무시할 수 있다.
■전압이득
■입력저항
■출력저항
■전류이득
■전력이득
CE(Common-Emitter )
Ri
크다
Ai
크 다
Av
작다 1이하
Ro
중 간
= 1.소신호 증폭기
2.h-parameter
3.r-parameter
4.공통컬렉터
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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가장 많이 사용된다.
PSPICE 컴퓨터실습
**15-1
-교류결합 다중 증폭기
-교류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**15-2
-직류결합 다중 증폭기
-직류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**참고문헌
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전자회로 설계 및 실험 교재 1. 이론
**기초적 이론
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