|
공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은
|
|
|
회로에서 부하저항 RL 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 에 의해 분자의 값이 증가함으로 전압이득은 증가한다.
5. 그림 22-1의 공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과
|
|
|
|
|
|
)이 Vin, 채널2(푸른색)이 Vout이다.
따라서 이 회로는 입력 신호가 반전, 증폭되는 반전 증폭기로 동작함을 알 수 있다.
첨두치는 입력이 100mVpp, 출력이 476mVpp이다. 따라서 이득 AV는 476/100 = 4.76이 된다. ① 드레인 특성
② 소스 공통 증폭기
|
|
|
크기 이상의 전압을 인가했을 때 출력에서 클리핑 현상이 발생하는 것을 알아보는 실험이다. 시뮬레이션과 비슷한 값으로서 약 100mV의 파형을 인가했을 때, 클리핑 현상이 발생했다는 것을 확인할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
|
|
|
회로부터 를 구하여 얻을 수 있는데, 이면
로 주어진다.
3. 시뮬레이션
(1) 회로도
(2) 시뮬레이션 결과
(3) 실험 회로
(4) 1K Hz
(5) 10K Hz
(6) 100k Hz
(7) 500k Hz
시뮬레이션 결과 JFET 회로는 반전 증폭기의 특성이 나타났는데 그래프 상으로 전압이득은
|
|
|
전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
|
|
|
증폭기는 이러한 이유로 회로 설계에서 많이 사용되며, 다른 전자 회로와의 조화로운 연계를 위해 종종 필요한 구성 요소로 자리 잡고 있다.
4. 결과 분석 및 논의
MOSFET 기반의 증폭 회로에서 공통게이트 및 공통드레인 구성의 학습과 실험을
|
|
|
증폭기의 발전은 전자기술의 기본적인 부분으로서 앞으로도 지속적으로 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 1. 실험 개요
2. 회로 구성 및 실험 방법
3. 측정 데이터 및 분석 결과
4. 각 증폭기 유형의 성능 비교
5. 실험 결과에 대한 논의
|
|
|
공통 소스 증폭기 실험은 이론과 실습의 통합적 학습을 가능하게 한 중요한 경험이었다. 1. 실험의 목표
2. 이론적 근거
3. 실험 절차
1) 사용된 장비와 재료
2) 드레인 특성 분석
3) 공통 소스 증폭기 구성
4. 결과 검토 및 개인적 소감
|
|
메뉴펼치기
