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. 이득을 계산해서 기록한다. 또한 VGS와 VDS를 측정하여 기록한다. ① JFET / MOSFET
② Enhancement MOSFET
③ Depletion MOSFET
④ 각 FET별 차이점
⑤ 분압기 바이어스
⑥ 자기 바이어스
⑦ MOSFET 바이어스
① 드레인 특성
② 소스 공통 증폭기
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회로가 불필요하다.
공통 게이트(CG) 증폭기는 BJT의 공통 베이스(CB) 증폭기와 유사하다. 입력 신호는 결합 캐패시터를 통해서 소스에 공급되고 출력은 드레인 단자에서 얻는다.
① 전압 이득
Source - Drain 전압 이득을 구하기 위하여 입력 및
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적으며, 이면 이다. 소스에 출력이 있으므로 입력 전압과 동상이다.
① 전압 이득
② 입력 저항
입력 신호가 Gate에 공급되므로 입력 저항은 CS 증폭기와 같이 매우 높다.
여기에서, 이다. 1. 실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
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사용하여 우회 커패시터가 접속된 공통 소스 증폭기 회로파일을 작성하고 주파수 10kHz에 대해 해석을 수행하라.
*** Common Source Amplifier ***
M153662N7000
.options defw=1 defl=1
.model 2N7000 nmos level=1
+ vto=kp=lambda=
+ cgso=20pcgdo=8pcbs=56pcbd=56p
.end 없음
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회로 및 FET증폭기
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. 의 Peak to peak는 10 mV, freq는 1 kHz, 는 9
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