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CVD)
PECVD (Plasma Enhanced CVD)
IC제조에 있어 주된 CVD 공정들의 예
CVD 방법의 장점
CHIP Package 종류와 두께
LEAD 삽입형 IC Package
표면실장형 IC Package
BGA (Ball grid array)
BGA SPEC
SOJ SPEC
QFP (Quad Flat Package)
LGA (Land grid array)
Wafer 두께의 발전
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화학반응은 Si-SiO₂의 경계면이서 일어난다, 이는 중요한 효과로 열 산화에 의해서 형성되는 경계면은 대기 중에 노출 되지 않는다. 따라서 불순물에 대해 비교적 자유롭다. Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두
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및 어닐링(Annealing)
박막 증착의 기술 및 공정
- 개요
1. 기화법 (Evaporation)
2. 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition)
(1) CVD 장치
(2) 박막 성장 메커니즘
3. 스퍼터 증착(Sputter deposition)
(1) 스퍼터링의 정의
(2).스퍼터링의 종류
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, 제조회사의 마크 등을 인쇄한다. ◆ 반도체의 정의
◆ 반도체의 특성
◆ 반도체의 재료
◆ 반도체의 원리
◆ 반도체의 종류
◆ 반도체의 역할
◆ 반도체의 발전 과정
◆ 반도체의 제품 분류
◆ 반도체 제조 공정
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silicon, α-Si)이다. 실리콘 소스 가스인 실레인(SiH4)은 산소계 소스 가스와 결합하여 silicon dioxide를 만들어 내거나 질소계 소스 가스와 결합하여 silicon nitride를 만들어 낸다.
PECVD를 이용한 실리콘 공정의 전체적인 모습은 위의 그림과 같다.
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