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터널링효과로 뛰어넘는다는 생각에 입각한 가모-콘든-거니의 이론에 의해 대체로 설명할 수 있다.
터널링 디바이스 및
자연현상에서의의 터널링
Report
과목: 재료현대물리
담당교수: 김남철 교수님
학번:
이름:
제출일: 4월 28일 -주사터널
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터널링효과가 잘 일어나고 누설 전류가 증가한다.
10nm,15nm는 약 -20V, 5nm는 약 -5v 부터 전류가 잘 흐르지 않는다. 보다 크기가 작은 전압에서는 공핍층이 형성되고 공핍층은 캐리어가 존재하지 않기 때문에 전류가 거의 흐르지 않는다. 그래서
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얇은 두께의 2차원 평면에 구속된 상태
좁은 밴드갭 컬렉터 (또는 캐소드)
영역 Ⅵ,Ⅶ : GaAs, 불순물이 짙게 도핑된 반도체 1. 다이오드
2. 터널링 효과
3. 터널 다이오드
4. 공명 터널링 다이오드
5. 공명 터널링 다이오드 응용
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구성
3. IPv6 주소의 특성
4. IPv6주소 이용 효과
5. IPv6 주소의 종류
1)Unicast Address
2)Multicast Address
3)Anycast Address
6. IPv6 전환기술
1)듀얼스택 (Dual Stack)
2) IPv4/IPv6변환
3) 터널링 (Tunneling)
7. IPv6전환 정책
8. IPv6 전환을 위한 과제
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[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2. 실험변수 (Variables)
3. 이론배경 (Theories)
4. 실험방법 (method)
5. 실험결과 및 고찰 (result & dicussion)
6. 결론(conclusion)
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