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트렌지스터 라는 것에 대하여 알게 되었고 증폭률과 이미터, 콜렉터, 베이스의 의미와 각 특성 회로, 바이어스 등의 계념을 새울 수 있었다. 그런데 마지막 실험이 마음에 걸린다. 다음 실험 부터는 실험 시행 전에 조교님의 조언이라든가 실
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트랜지스터는 (스위치 동작)을 하게된다.
문 제 풀 이
8. 그림 5-7의 회로에서 , 그리고 를 구하라. 또한 트랜지스터가
포화상태인지 아닌지를 결정하라.
①
②
③
④
⑤
∴ 의 값이 의 값보다 크므로 는 역방향 바이어스, 는
순방향 바이어스
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바이어스 방향에 따라 결정된다.
2. 트랜지스터의 기본 동작
포화 상태 : B-E접합과 B-C접합 모두 순방향 바이어스 => 스위칭 회로
활성 상태(증폭기) : B-E 접합은 순방향, B-C 접합은 역방향 바이어스 => 증폭 회로
=> B 단자에 0.7V(
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바이어스 되어 있으므로 에미터 회로의 저항은 아주 적은데 비해서 베이스와 콜렉터 전압은 역방항으로 바이어스가 걸리므로 콜렉터 회로의 저항은 매우 높다.
2. 트랜지스터의 바이어스
트랜지스터가 동작하기 위해서는 트랜지스터에 바
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첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
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