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성장공정
연마공정
Epitaxial 공정
노광공정
박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
세정공정
웨이퍼절단공정
Bonding공정
패키징공정
테스트공정
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에칭가스
기상에칭
플라즈마에칭
이온빔 에칭
반응성 Sputter
Cl2, HCl, SF6, HF, HBr
CF4, BCl3, C3F8, NF3, SiF4, C2F8
CF4, SiF4, CHF3, CuF3, NF3, C3F8, BCl3
O2
표3. 드라이에칭에 사용되는 가스의 종류
방식
막종
Gas
성장온도(℃)
용도
감압 CVD
Poly Si
P doped
Poly-Si
SiO2
Si
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하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 1.Etching의 정의
2.Etching의 종류
3.플라즈마의 정의
4.Plasma Etching
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플라즈마는 LCD에서는 공정으로 PDP에서는 빛으로 사용되고 있다. PDP는 쉽게 말하면 형광등을 극단적으로 0.3mm 이하로 작게 만들고 수백만 개를 배치해서 디스플레이로 만들었다고 생각하면된다.
- 건식에칭가공 : 에칭은 원하는 부분만 선택적
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플라즈마로 표면 코팅처리를 하면 마모나 부식을 방지할 수 있고 유물의 상태를 개선하는 효과를 낼 수도 있다. 플라즈마가 내는 빛을 이용한 플라즈마표시장치(PDP:Plasma Display Panel)는 산업전반에 폭넓게 사용되고 있는데 대표적인 것이 PDP TV
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