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과산화물값의 실용상의 의의
2. 과산화물가와 관능검사
3. 각종 과산화물의 독성
4. 과산화물가에 관한 고찰
5. 과산화물값의 측정법
Ⅵ. 산화와 일산화탄소
1. 성질
2. 인체 영향
3. 용도
Ⅶ. 산화와 금속산화막반도체전계효과트랜지스
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일산화탄소
Ⅲ. 산화와 이산화염소
1. 이산화염소란
2. 이산화염소의 특징
Ⅳ. 산화와 인산화
Ⅴ. 산화와 황산화
Ⅵ. 산화와 수산화나트륨
1. 이론적 배경
2. 시약 및 기구
1) 시약
2) 기구
3. 실험순서
1) NaOH조제
2) 표정
4. 계산식
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트랜지스터 다이오드의 사용법, 세운
노용한(1996), 금속-산화막-반도체 소자의 계면전하 발생에 미치는 정공과 수소의 역할, 성균관대학교과학기술연구소
서용준(1974), 터널 다이오드 주파수 변환기의 변환이득 및 잡음특성에 관한 연구, 한양
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제공한다.
-습식산화 : Si + 2H2O → SiO2
산소에 습기가 섞여 있는 경우로, 건식산화보다 oxidation rate가 더 빠르다.
0.5㎛정도의 두꺼운 oxide 층을 제공한다. 산화막(oxide)
산화공정(Oxidation)
산화막 형성온도 영역
산화막 형성 방법
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산화막
● 산화막이란
● 열 산화(thermal oxidation)
● 건식 산화(dry oxidation)
■ p-n junction 에 대해 설명하라.
● N-Type Silicon
● P-ype Silicon
● 다이오드의 원리
■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barri
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