|
트랜지스터
(가) 구조 및 동작원리
(나) 특징
2.1.3 포토커플러(photo-coupler)
(가) 구조 및 원리
(나) 포토 인터럽터
(다) 포토 아이솔레이터
2.2 광도전형 센서
2.2.1 원리
2.2.2 CDS 광도전셀
2.2.3 PbS 광도전셀
3. Digital Switch
1)원리
2)
|
- 페이지 7페이지
- 가격 1,200원
- 등록일 2010.02.07
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
트랜지스터를 사용해서 스위치 동작을 하는 회로를 구성하는 것이다.
<그림 35-7>의 회로를 실험은 트랜지스터를 포화상태로 만드는 것인데 의 값이 12.036V로 입력 전압의 크기와 거의 같았고, 의 값이 0.075V로 전압강하가 나타나는 것으로
|
- 페이지 8페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2010.08.31
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
트랜지스터의 얼리 효과에 대응된다.
● MOSFET의 종류
1. Depletion형 MOSFET
전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을 조절하는 동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 집적회로 에서 능동 소자 보다 수동 소자로 많이 이용 되는데 source-dra
|
- 페이지 5페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2008.12.07
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
트랜지스터 스위치
그림 35-6의 회로에서 다이오드는 부(-)의 전압에 대해서만 트랜지스터의 베이스에 전류가 흐르게 되므로 입력 신호의 +반주기에 트랜지스터는 포화되어지며 입력신호의 -반주기에 트랜지스터는 차단된다. 만일 입력 신호
|
- 페이지 7페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2011.10.23
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
트랜지스터의 역사
3. 트랜지스터의 일반 외형
4. 반도체 조합에 따른 트랜지스터의 구분 (PNP타입, NPN타입)
5. 트랜지스터의 동작 원리
PNP타입 트랜지스터
NPN 타입 트랜지스터
6. 동작원리로 이해하는 트랜지스터의 특성
1) 스위치 작용
2)
|
- 페이지 14페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2007.10.09
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|