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6
16.46
16.49
16.53
16.62
16.35
13
23.07
22.22
21.32
20.41
19.65
19.77
19.79
19.83
19.91
19.89
15
26.40
25.58
24.69
23.79
23.03
23.05
23.05
23.14
23.21
23.27
<공핍형 MOSFET의 드레인 특성 실험결과표>
(2) 고찰
1) JFET 바이어스와 BJT 바이어스의 차이점을 설명하라.
JFET 바이어스
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이를 보여 정확한 값을 알아내기는 힘들었고 대략 비슷한 값을 가지는 것을 알 수 있었다. 그리고 2번째 실험인 증가형 MOSFET의 경우 값이 0V ~ 1.5V까지는 모두 0으로 측정이 되어 제대로 실험이 되는지 헷갈린 경우도 있었고 2.0V를 제외하고 나
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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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실험 (3)은 2입력 NOR게이트(4001)의 Vout에 저항을 연결하고, 저항의 크기의 변화에 따라 변화하는 Vout 값을 측정하는 실험이었습니다. 이 실험으로 저항 값이 달라져도 모두 약 5[V]에 근접한 결과여서 0과 1의 출력 중 1에 해당한다고 볼 수 있었습
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크기 이상의 전압을 인가했을 때 출력에서 클리핑 현상이 발생하는 것을 알아보는 실험이다. 시뮬레이션과 비슷한 값으로서 약 100mV의 파형을 인가했을 때, 클리핑 현상이 발생했다는 것을 확인할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
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