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자기기록기술
2. 자기저항 (magnetoresistance)
3. 자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소
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나노기술에 대한 전반적인 평가에 따르면 우리의 기술수준은 대체적으로 선진국의 25%에 불과한 실정이다. 예를 들면, 현재 세계적으로 가장 미세한 나노 반도체소자는 인텔에서 개발한 게이트 길이가 20nm이지만 우리는 한국과학기술원(KIST)
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공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
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공정의 실현 등에서 유리하며, 최근 많이 채택되고 있는 기술이다.
참조
NECST @ KNU 반도체공정교육및지원센터
IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/n
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http://www.sehwapub.co.kr
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IHS Technology (http://www.displaybank.com/)
신기술융합형 성장동력사업(http://blog.naver.com/mest_crh/150118453465)
나노종합 기술원(http://blog.naver.com/nnfcblog/60199284214)
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