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ALD 공정을 이용한 TaN 박막형성방법
본 발명에 따른 TaN 박막형성방법은, Ta함유기체와 NH3기체를 공정챔버 내로 교번하여 공급하여 상기 공정챔버 내에 미리 장입되어 있는 기판 표면에 TaN박막을 ALD 법으로 형성하는 TaN 박막형성방법이며, 상기
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ALD증착방법으로 6nm로 증착한
Al2O3산화막과 E-beam으로 100nm를 증착한 SiO2시편의 I-V curve를 비교해 보았다
그림32. ALD로 증착한 Al2O3박막과 E-Beam으로 증착한 SiO2박막의 비교
그래프에서 알 수 있듯이, ALD로 증착한 박막이 E-beam으로 증착한 박막보
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CVD와 같은 화합물이 아닌 단원자 상태의 전구체를 사용해 박막을 형성하는 원차층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD)법을 이용한 성막 공정이 차세대 반도체 소자 제조 공정에 중요하게 적용되기 시작하였다. ALD 공정은 전구체가 기판표면에 흡착
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ALD
(입소 6년 전부터 기억감퇴, 우울해하심, 2년전부터 심해져서 입소함.
집안에서만 지내고 묻는말에는 대답함. 얌전, 소심해짐)
2. 건강-질병에 관한 자료
과거에 앓았던 질병 : 심장질환(2004년도)
혼자서는 잘 걸어다님, 손을 사용하는 일들
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아주대 유전클리닉에서 4명의 환자에게 시행중이다. ALD 환자의 부모들은 모임(02-956-5151)을 갖고 서로 정보를 교환하고 있다.
생화학 Report
ALD
(부신백질이영양증)
학 번: 20063544
학 과: 유전공학
이 름: 용 다혜
담당교수님: 이미영 교수님
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