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융액(melt)의 점도가 낮아 결정을 끌어 올릴 수 없을 때 사용
GaAs, II-VI 족 단결정(ZnSe, CdS, CdTe) 성장에 쓰임
단결정 성장 방법 중 가장 단순, 저렴
결정화 하는 재료에 따라 수평, 수직 브리지만 법으로 나눔 1.Bridgman Method
2.Floating Zone
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Method)등이 있으며 Ⅱ-Ⅳ족 단결정을 생산하기 위한 수평-수직 브리드만(Bridgman)법이나 Ⅲ-Ⅴ족 단결정을 생산하기 위한 액상 포획(Liquid-encapsulated Cz법이 있다.
5.2.2 반도체 가스와 약품
반도체 재료는 웨이퍼 제조공정용, 웨이퍼 처리공정용과
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반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플롯존법(Float Zone Method, FZ)
* 그 외의 결정 성장법
반도체 제조 기술
1. 워이퍼 세척
2. 웨이퍼 표면
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반도체 결정의 육성에 이용됨
5. HEM(Heat Exchange Method) 법 : VGF 법과 거의 유사하나, 다만 노의 내부구조에 따라 자연적으로 형성되는 수직 방향의 온도구배를 이용한다는 점만 다를 뿐이다. HEM법을 포함한 VGF법의 가장 큰 단점은 육성된 결정의
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[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2. 실험변수 (Variables)
3. 이론배경 (Theories)
4. 실험방법 (method)
5. 실험결과 및 고찰 (result & dicussion)
6. 결론(conclusion)
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methods for forming nanopattern (M E Stewart, M J Motala, Jimin
Yao2, L B Thompson, and R G Nuzzo)
[4] http://www.cheric.org/board/view.php?code=f05&seq=11402&page=7
[5] 제6판 고체전자공학, Soid State Electronic Devices (벤 스트리트만, 산제이 배너지)
[6] <디스플레이 기술 및 시장동향
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