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Czochralski 법(CZ법)
대표적인 단결정 성장법으로 30여년 전에 CZ에 의해서 발명된 것으로서 CZ법에 의해 성장된 단결정은 전세계적으로 태양전지뿐만 아니라 집적회로(Integrate Circuits, ICs) 제조를 위한 기판으로 가장 널리 사용되고있다.
CZ법에
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Czochralski 법 , Floating Zone 법
2. 기상 성장 - 기상 Epitaxy 성장법
3. 용액 성장 - 수열법 , 온도 강하법 , 온도차법
인상법 (Czochralski method)
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≪ 그 림 ≫
종 류 : 1. Magnetic Czochralski (MCZ법)
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Czochralski Growth
단결정 실리콘을 성장시키는 대표적인 방법
도가니를 사용하여 성장재료를 melting시키고, seed 결정을 사용하여 dipping 한 뒤에 이를 서서히 회전하면서 끌어올려 결정성장을 시킴
다결정실리콘을 도가니 안에 넣고 고온으
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존재함
• 불순물이 상대적으로 많은편 단결정 실리콘 성장기술
단결정 실리콘 제조 방법 - 인상법
- 장단점
- 한계
- 부상 도가니 Czochralski
- 액상 방지막 Czochralski
단결정 실리콘 제조 방법 – 부유 대역법
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Czochralski Growth(CG)
3 Float Zone(FZ)
4. Edge defined film fed growth(EFG)
5. Skull melting법
6. Verneuil법
7. LEC(Liquid Encapsulated Czochralski)
8. Hydrothremal method
9. VGF(Vertical Gradient Freeze)
2. Analysis method
Growth of single crystal thin film
-1. Hot Wall Epita
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