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sistor의 성능에 영향을 주게 된다. 즉, 이러한 gate oxide에서의 electron trapping으로 인해서 IC chip의 신뢰성에 문제를 줄 수 있게 되는 것이다.
예를 들면 hot carrier effect로 인해서 전류가 더 많이 흐르게 되므로 chip이 파괴되는 경우가 있는데 이러한
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Effect와 방지 방법
29.Body Effect
30.Channel Length Modulation
31.Subthreshold Conduction Effect
32.DIBL(Drain-induced Barrier Lowering) Effect
33.Hot Carrier Effect
34.LDD(Lightly Doped Drain) 공정
35.Narrow Channel Effect
36.Flat Band Voltage 와 Vth의 관계(Modified Work Fun
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. 1. hot or thermoelectric probe method (Seebeck effect)
(1) 원리
(2) Seebeck effect
2. four-point probe method
3. hall effect
(1)Hall effect란?
(2)hall effect에 관련된 수식전개
4. 반도체 conductivity type 만드는 방법
5. 반도체 기판의 conductivity type 결정방법
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Hot carrier effect 방지
3. 제작 시 유의점
1) 안정된 접지와 방열체가 필요하다
2) 트랜지스터 리드의 접착 평면은 회로판에 가능한 밀착
3) 출력 레벨 감지 및 출력 보호 회로 구현
4) 적절한 하우징을 통한 열 배출
1도 상승 시 0.115W 상승 1.P
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Effect라고 한다.
2. Hall Effect를 이용하여 측정할 수 있는 전기적 특성 종류는 무엇이 있는가?(4가지 이상)
Carrier 농도, 비저항 및 전기전도도, Mobility, Majority carrier
3. 2. 에서 제시한 특성들의 뜻 또는 의미하는 바는 무엇인가?
① Carrier concentrat
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Effective Thermal Conductivities Al2O3 Nanoparticles Suspended in Water with Low Concentration
12. S. -B. Park, Measurement of the Thermal Conductivity by Using the Transient Hot Wire Method, 공기조화 냉동공학회 ‘99하계학술발표회 논문집, pp.316-319, (1999)
13. S. P. Lee, Measuring Thermal conducti
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형성을 위한 공정 최적화
- 2D 반도체 기반의 유연 소자(Flexible Device) 및 저전력 소자 개발 가능성 검토
공정 및 소자 신뢰성 평가
- 나노스케일 소자의 열화 현상(Hot Carrier Effect, Bias Temperature Instability 등) 분석
- 소자 신뢰성을 높이기 위한 공정
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