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이온 표면 착물화
2.5. 표면전하변화
제3절 광촉매 반응과 영향인자
1. 광촉매 반응
2. 광촉매 반응 영향 인자
2.1. 광촉매 특성
2.2. 촉매량
2.3. 도핑 및 복합산화물
2.4. 광의 세기 및 파장
2.5. pH
2.6. 온
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Ion Implantation을 할 수 있다.
3) 마지막으로 Crystalline 과 Amorphous(Non-Crystalline) 을 비교해보면, 같은 조건에서 Crystalline 가 Amorphous 보다 더 짧은 (Junction Depth)를 가지고 더 높은 peak concentration을 가지는 것을 볼 수 있다. 규칙적으로 배열되어 있는 Cry
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ion implantation 에 의해 생성될 수 있다. 이것은 gate 바로 아래에 펼쳐진 낮은 농도의 불순물을 갖는 얇은 junction이다. 유전체 층을 두고 에칭한 후, polysilicon gate의 양쪽에 sidewall spacer을 만든다. 그 다음 low energy와 high current ion implantation으로 높은
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Ion Implantation, Etching
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산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식산화 법과 습식산화 법으로 구분 할 수 있다.
▶ Dry Oxidation
고온의 Furnace 내로 O2 가스를 공급하여 실리콘을 산화 시킨다.
막의 성장 속도가 느리다.
Si(s) + O2(g)
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Ion implantation → CVD → Metallization
Package 공정
EDS test → Sawing →Die Bonding → Wire Bonding →Molding
검사공정 * IC Design 과정
* 반도체 제작 과정
→ Crystal Growth
→ Wafer 제조 공정
→ Wafer 가공 공정
→ Package 공정
→ 검사 공정
* SOC D
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이온 주입 및 열처리 (Ion Implantation & Thermal Annealing) 32
사. 금속화 및 CMP (Metallization & CMP) 33
아. 공정 통합 및 기타 (Process Integration & Others) 33
자. 참고 자료 34
? 액정-디스플레이 대학원 최빈도 기출입시문제 100선 36
1. 액정의 기초 특성 36
2.
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