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반도체 제작 과정
Crystal Growth
Epitaxial Silicon Wafer Growth
Wafer 제조 공정
Slicing → Wafer Polishing → Circuit Design → Mask Design
Wafer 가공 공정
Oxidation process → Photo Resist Coating → Exposure Process→ Development Process → Etching Process → Ion implantation → CVD →
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crystal) 이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.
2.에피택시 공정
단결정 실리콘 위에 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 일종의 얇은 필름으로 실리콘의 표면을 덮는 코팅공정
각 재료들이 특정 위치에 정확
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growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다
이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다. LPE이용과 기원
에피택시란?
LPE
성장법
결함
결론
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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
5. 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플
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LED의 전반적인 설명과
LED의 제조공정방법에 대한 내용이 수록되어 있습니다. 1. LED의 실험배경 및 목적
2. LED란 무엇인가?
3. LED의 특징 및 응용분야
4. LED PKG제조공정 및 성능 비교 실험
5. 실험 일정
6. 참고자료
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반도체 패키지와 인쇄회로 기판 - 김경섭유정희
[3] 현대 반도체 광원의 기초 - 심종인이종창김종렬
[4] 초고속 SOP에서 인터페이스 채널과 트랜시버의 Co-design 방법 - 김용주
[5] 3D-IC Alliance, www.d3-ic.org
[6] 하이닉스 반도체 www.hynix.co.kr
[7] 삼성전
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반도체 테스트의 일반적인 사항과 소프트웨어, 하드웨어에 대한 개론적인 설명 및 반도체 테스트의 테스트 아이템별 세부적인 설명 및 절차와 DFT(Design for Test)에 대한 간략한 설명을 나타내고 있다. 그 외의 테스트 후공정에 사용되는 장비에
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반도체 Package공정 중 최근 high performance, 경박단소의 패키지 요구에 가장 부합되는 package로 WLCSP(Wafer Level Chip Size Package)에 대한 요구가 커지고 있다. 그 외에 Flip chip 기술을 위한 Wafer bumping기술 또한 최근 시장에서 그 요구가 증가를 하고 있다.
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Crystallization
Chromatography 통하여 target 물질인 α-Amylase를 추출하였는데 이를 Crystallization 과정을 통하여 분순물과 물을 제거하여 상품 가치를 갖춘 높은 수율의 amylase-crystallization을 만들어낸다.
2. 공정 상세 설명
1. Fermentation
[ Cond
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반도체 후공정 개발 분야에서의 최신 경향을 반영한 혁신적인 솔루션을 제시할 수 있는 능력을 갖추고 있습니다.
마지막으로, 긍정적이고 적극적인 태도가 저의 큰 장점입니다. 어려운 상황에서도 긍정적인 마인드를 유지하며, 팀원들과의
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기술 동향에도 관심을 가지고 지속적으로 학습하여 기술 경쟁력을 확보하고 있습니다.
Q5. 입사 후 단기 목표와 장기 목표는 무엇인가요?
단기적으로는 반도체연구소의 공정 기술과 장비, 연구 프로세스를 신속히 습득하여 실무에 빠르게 적
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