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반도체 제작 과정
Crystal Growth
Epitaxial Silicon Wafer Growth
Wafer 제조 공정
Slicing → Wafer Polishing → Circuit Design → Mask Design
Wafer 가공 공정
Oxidation process → Photo Resist Coating → Exposure Process→ Development Process → Etching Process → Ion implantation → CVD →
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crystal) 이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.
2.에피택시 공정
단결정 실리콘 위에 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 일종의 얇은 필름으로 실리콘의 표면을 덮는 코팅공정
각 재료들이 특정 위치에 정확
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growth) 또는 에피택시(epitaxy)라 한다
이 과정에서 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal)이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다. LPE이용과 기원
에피택시란?
LPE
성장법
결함
결론
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반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과정에서 s
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반도체 공정 및 측정 , 전자자료사, 1995, pp.123
5. 이종덕, 실리콘집적회로 공정기술, 대영사, 1997, pp.149
6.반도체 산업 및 반도체 재료 산업의 실태와 전망, 데이콤 산업연구소,1998,pp.117 실리콘 단결정(single crystal)
- 초크랄스키법(CZ법)
- 플
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