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LPCVD 장비 사용방법
Poly Si을 CVD로 증착하기 위한 방법을 위해서는 먼저 LPCVD와 FURNACE 사용방법을 숙지할 필요가 있다.
CVD (SiH4 + PH3)
Si을 단독으로 만들어 내는 것은 불가능 하다. 그럼으로 SiH4에서 추출해내서 Si을 만들어 내야한다. 반도
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-화학 기상 증착법(CVD)
저압 화학 기상 증착 (Low Pressure CVD, LPCVD)
플라즈마 향상 화학 기상 증착 (Plasma Enhanced CVD, PECVD)
대기압 화학 기상 증착 (Atmospheric Pressure CVD, APCVD)
-물리 기상 증착법(PVD)
금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착
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LPCVD (Low Pressure CVD)
◉ UHVCVD (Ultra-high vaccum CVD) 초고진공화학기상증착
◉ DLICVD (Direct liquid injection CVD)
◉ AACVD (Aerosol-assisted CVD)
◉ MPCVD (Microwave Plasma CVD)
◉ PECVD (Plasma Enhanced CVD)
◉ ALCVD (Atomic Layer CVD)
APCVD (Atmos
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LPCVD (SiH₄)를 이용한 실리콘 필름 정착 방식을 사용하였지만, 현재 LPCVD와 PECVD 등의 방식으로 더 낮은 온도로 제작 가능하다. 또한 실리콘 결정화 공정에서도 기존의 SPC 방식에서 현재는 Laser Crystallization 방식으로 300℃ 이하의 온도로 제작 되
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1. CVD (cheical vapor deposition):
gas 상태의 화학성분(chemical constituents)들이 높은 온도의 기판 위에서 반응하여, 기판 위에 (비휘발성) 고상을 생성하는 재료합성공정.
2. 응용 분야:
- thin film, coating 제조
- solid state electronic devices 제조
- ball bea
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