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없으며, 측정하고자 하는 곳에 미리 단차를 만들어 놓아야 하는 불편함이 있다. 증착
증착의 개념
증착의 요구조건
진공증착법
증착의 방식
PECVD
CVD
PECVD
PECVD의 공정 과정
알파스텝
알파스텝 장비
알파스텝의 원리
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1. CVD (cheical vapor deposition):
gas 상태의 화학성분(chemical constituents)들이 높은 온도의 기판 위에서 반응하여, 기판 위에 (비휘발성) 고상을 생성하는 재료합성공정.
2. 응용 분야:
- thin film, coating 제조
- solid state electronic devices 제조
- ball bea
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PECVD의 낮은 step coverage로 인한 박막 증착의 한계 극복
- 높은 Gap filling 능력
- Deposition & Etching 동시 발생 ->Low Deposition rate
- HDPCVD 는 기본적으로 300∼400°에서 증착이 이루어지므로 Metal의 증착 가능
- Gap-fill을 하는 과정에서 증착과 식각
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CVD, Photo CVD, PECVD, LECVD 등으로 분류되었다. CVD 공정은 다른 박막 증착 공정보다 순도가 높고 대량생산이 가능하며, 공정조건의 제어 범위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 사용할 수 있다. 그리고 무엇보다도 기판의 굴곡 및 3차원적 구조에
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CVD나 PECVD에 비해 떨어진다.
Fig. 13 Schematic diagram of laser CVD growth mechanism
Reference
1. S. Sivaram, Chemical Vapor Deposition, International Thomson publishing Inc., 1987
2. M. L. Hitchman, Chemical Vapor Deposition Principle and Application,
Academic Press, 1993
3. Donald L. Smith,
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CVD와 ALD의 차이는 무엇인가요?
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