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LPE작동원리
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술이다. 반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키
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LPE), 기상 에피택시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용된다.
1.LPE (Liquid Phase Epitaxi)
결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것으
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결정을 성장시키는 시드 결정
(seed crystal)이 되며,새 결정은 기판과 같은 결정구조 및
방향성을 가진다. Epitaxy
-Epitaxy란?
-성장목적
-종류
LPE
-LPE 성장 원리
-성장장치에 따른 분류
-냉각방법에 따른 분류
-결함
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I. LPE 이용 과 기원
화합물반도체 제조공정
이용: 컴펙트 디스크 플레이어용 가시광 레이저, 광통신용 발광, 수광소자.
기원: 1963년 Nelson 이 용융금속용액에서 GaAs 레이저용 과 Ge를 이용한 턴넬 다이오드용 소자 성장 성공 이후 LPE는 새로
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속도가 초크랄스키법 속도의 1/1000.
두께가 수 ㎛ 정도인 소자용 결정층의 제작에 이용
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해짐 화합물 반도체란?
에피택시 (Epitaxy) 공정이란?
HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)
LPE (Liquid Phase Epitaxy)
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