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MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Function generator), 2n7000 (NMOS) 1개, 저항, 커패
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90%인 약 4.5V의 값까지의 변화 시간을 측정해보면, 약 24.2627us가 나오게 됩니다.
=> : 138.332u-114.675u = 23.657u
=> 5.0V의 90%인 약 4.5V의 값부터 10%인 약 0.5V의 값까지의 변화 시간을 측정해보면, 약 23.657us가 나오게 됩니다.
=> 위 그래프에서 약 0.2
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오차가 발생한 이유는 을 지정해 줄 때 이용한 피스파이스의 PARAMETERS의 이용이 아직 미숙하여 약 6배의 잘못된 결과가 나온 것이라고 생각됩니다. 이론값을 구할 때는 문턱전압의 값을 3V라고 생각하고 계산하였습니다.
공식 를 이용하여 를
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첫째자리까지 나오고 이것 또한 정확하지 않기 때문에 이것으로 인하여 오차가 크게 발생할 수도 있기 때문에 유의해야 한다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 목적
3. 실험 결과 및 분석
1) 실험 1.1
4. 고찰 사항
5. 토의
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급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1.1
1) 실험1.2
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