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Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석
[1] BJT
➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용
〔다수 및 소수 캐리어에
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Power consumption을 최소화 시키는 Optimaze Point에 근접시켰다. 그 결과 맨 처음 설계했던 BJT Amp보다 Power consumption을 10배이상 줄일 수 있었다.
최종적으로 우리 조는 input-impedance 와 output-impedance를 최대한 만족시키는 선에서 제 1우선순위를 power consum
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Power consumption을 최소화 시키는 Optimaze Point에 근접시켰다. 그 결과 맨 처음 설계했던 BJT Amp보다 Power consumption을 10배이상 줄일 수 있었다.
최종적으로 우리 조는 input-impedance 와 output-impedance를 최대한 만족시키는 선에서 제 1우선순위를 power consum
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BJT의 특성 및 bias
2. 실험 목적 : 자유전자와 정공을 동시에 이용하는 트랜지스터를 이해하고 트랜지스터 npn/pnp형의 특성을 실험을 통해 알아본다. 또한 트랜지스터의 동작을 확인해본다.
3. 준비물
전원 : 1.5v, 6v dc전원 (2채널 DC power supply)
계측
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BJT, GTO사이 리스터의 장점을 결합한 일종의 하이브리드(hybrid) 소자이다. 즉 IGBT는, (1) MOSFET처럼 전압 제어소자이며 게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT보다 구동하기가 쉽고,
(2) BJT처럼 온드롭(on-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거
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