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전문지식 445건

time tr은 0.6div*1μs/div=0.6μs, falling time tf또한 0.6div*1μs/div=0.6μs이다. 한편 최대 주파수는 1/(tr+tf) 이므로, 1/(1.2*10-6)833333Hz=833kHz가 된다. 1. NAND gate로 꾸민 gate 2. Exclusive-OR (XOR) gate 3. open collector gates 4. Propagation Delay (전달 지연)와 rising time
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  • 등록일 2015.12.09
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NAND 게이트와 NOR 게이트 2. 범용 게이트로서의 NAND/NOR 게이트 3. TTL NAND 게이트와 NOR 게이트 4. 2단계 논리회로의 NAND/NOR 게이트 구현 Ⅷ. 논리회로와 조합논리회로 1. BINARY LOGIC AND GATES 1) Binary Logic 2) Logic Gates 2. BOOLEAN ALGEBRA 1) Basic identities
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  • 등록일 2013.07.12
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. 예비보고서 및 결과보고서가 같이 들어 있습니다. 1.Logic gates 2.Logic gates-TTL gates와 deMorgan의 법칙 3. RS-Latch 및 D-LAtch 4.JK flip-flop 5.Shift Register 6. 이진계수기 7. 십진계수기 8. Decoder와 Encoder 9. 덧셈회로(Adder) 10.OP AMP
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  • 등록일 2004.04.29
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EXPERIMENT 1 Basic Gates 1. 실험 목적 ⑴ AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR 게이트를 이용하여 각각의 입력 값을 넣었을 때, 출력되는 값이 어떻게 달라지는지 실습한다. ⑵ AND, OR, NOT 게이트를 서로 범용하여 연결하면 어떤 결과가 얻어지는지 실험을 통하여
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  • 등록일 2011.09.11
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TTL에서 개방 콜렉터 (OC : open collector)를 사용할 때, 이들을 묶으면 특정 논리를 수행하는 기능으로 사용할 수 있게 한다. TTL의 2입력 NAND 게이트를 결선하면 와이어드 AND가 되지 않는다. 토템 폴(totem-pole) TR는 포화되었을 때에 이미터 플로어(emit
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  • 등록일 2013.12.15
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논문 2건

TTL에 의해 가리키게 된다. Undervoltage lockout은 또한 모든 출력되었던 운전자들(LA, LA, LC, HA, HB, HC)을 끈다. 이 장치는 150 mV의 hystresis를 가진다 <그림 4-5> Cross Conduction, Brake, and UVLO Circuits 4.7 실험결과 ML4425 PWM 센서리스 구동 브러시리스 직류
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  • 발행일 2009.10.28
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탕으로 두 입력 신호를 논리‘0’으로 리셋 시키는 구조를 사용함으로써 Up과 Down신호가 충분한 시간동안 논리‘1’의 값을 유지할 수 있도록 설계하였고 이에 따라 위상주파수 검출기가 NAND 게이트의 문턱전압에 상관없이 동작하게 함으로써
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  • 발행일 2010.02.22
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취업자료 5건

Gate-All-Around, HBM) 중 관심 있는 것은 무엇인가요? 8. 삼성전자의 글로벌 반도체 경쟁력은 어디에서 나온다고 생각하나요? 9. 만약 근무하게 된다면 어떤 공정을 하고 싶은지? 10. 학점이 높은데 본인만의 팁이 무엇인지? 11. 학부 연구생 했는데
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  • 등록일 2025.08.10
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  • 직종구분 기타
게이트(AND, OR, NOT, NAND, NOR, XOR, XNOR)의 진리표를 작성하시오. □ 플립플롭(flip-flop)의 종류와 그 동작 원리를 설명하시오. □ 레지스터와 시 <제목 차례> ? 이 자료를 구성하면서 읽어본 참고 문헌 11 ? 지원자는 왜 전자공학 학술이론을 연
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  • 등록일 2024.09.14
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  • 직종구분 기타
논리게이트에서 오류가 생겨 더 이상 다음 작업으로 진행되지 못했는데, 무엇이 문제인지 알기 위해 AND, OR, NAND, NOR 게이트에서 원인을 분석하였습니다. 1주일 동안은 문제를 찾지 못해 연습에 어려움이 있었지만 엔플북스 전자캐드 책을 통해
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  • 등록일 2025.04.06
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
게이트에서 오류가 생겨 더 이상 다음 작업으로 진행되지 못했는데, 무엇이 문제인지 알기 위해 AND, OR, NAND, NOR 게이트에서 원인을 분석하였습니다. 1주일 동안은 문제를 찾지 못해 연습에 어려움이 있었지만 엔플북스 전자캐드 책을 통해 문
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  • 등록일 2025.04.09
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  • 직종구분 전문직
NAND 게이트를 이용한 메모리 반도체를 다룬 경험이 있습니다. 당시 메모리 비전 2030을 통하여 비메모리의 Foundry 산업...(이하생략) - 자기소개서 LS엠트론 및 해당 직무에 지원하게 된 동기에 대하여 기술해 주시기 바랍니다. (최소 100자,
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  • 등록일 2023.04.06
  • 파일종류 아크로벳(pdf)
  • 직종구분 산업, 과학, 기술직
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