CMP 공정설명, 공정교육, 공정기술, 미래차세대CMP,

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목차

1.CMP 공정 개요
2.CMP 기본 원리 및 구성 요소
3.CMP 공정 변수 및 제어
4.CMP 공정의 적용
5.차세대 CMP 연구 방향

본문내용

CMP 설명
Chemical Mechanical Polishing
Chemical Mechanical Planarization
Wafer를 화학적 반응(Chemical)과 기계적 힘(Mechanical)을 이용하여 평탄하게(Planarization) 연마(Polishing)하는 반도체 공정.

(Effective) Pattern Density 의 차이← Pattern Layout, Dummy, 증착 방식 및 Pattern 크기 → CMP Simulator
Planarization Efficiency 의 차이← Pad, Slurry, Pressure etc.
Current End Point Detection Methods
Theoretical Background of Optical EPD
Oxide CMP Using Silica Based Slurry
Hydration of Oxide Layer : Softening the Surface
Silica Abrasive : Mechanical Abrasion of Hydrated Oxide Layer
→ Increase Hydration Layer : Increment of Oxide RR
Practical Application of Ceria Based Slurry
Anion (R-COO－) Can Passivate Si3N4 Selectively → High Selectivity
Polysilicon structure is vulnerable to chemical attack
▶ Polysilicon surface (≡Si-Si≡ and ≡Si-H): Hydrophobic
W Removal Rate with Dual Oxidant
Introduction of Al Damascene Process
Al Material is Vulnerable to Mechanical and Chemical Attacks
Severe Scratch, Corrosion, Pitting Defects After CMP Process
Restriction in Using Strong Cleaning Chemicals for Defect Reduction
Requirements for Future Technology

CMP Simulator 개발
Dishing Mechanism 연구
Slurry Flow Simulation
Recess Free Poly Slurry 개발
High Planarity Slurry 개발
High Planarity W Slurry 개발
High Selectivity Slurry 개발
Pending Issue of FA WEB - Scratch
PIV 기법을 이용한 Slurry 내부 유동 연구
Slurry Recycling
slurry capture system

키워드

CMP 공정,   기본원리,   구성,   공정,   변수,   제어,   적용,   미래CMP,   차세대CMP