목차
1. 파운드리의 개념
2. 삼성 파운드리의 역사
3. 시기별 점유율
4. 삼성전자와 TSMC
5. FinFET 공정과 GAA공정
6. 파운드리 산업 전망 및 중요성
2. 삼성 파운드리의 역사
3. 시기별 점유율
4. 삼성전자와 TSMC
5. FinFET 공정과 GAA공정
6. 파운드리 산업 전망 및 중요성
본문내용
. FinFET은 입체적으로 튀어나온 채널의 모양이 상어 지느러미처럼 생겼다는 이유로 이름 붙여졌으며 Fin 모양의 3D 구조가 적용된다. FinFET 공정에서는 접점 면적을 늘려 트랜지스터 성능을 향상하고 누설 전류를 줄임으로써 첨단 반도체를 생산한다.
반면, 삼성 파운드리가 개발에 성공한 GAA는 Gate All Around의 약자로 3면을 쓰는 핀펫(FinFET)의 각형 구조를 보인다. GAA구조에서는 모든 면이 게이트가 될 수 있도록 FinFET보다 더 원형 구조를 띠고 있으며 채널 하부에 존재하는 실리콘 옥사이드(SOI)층을 부분적으로 식각하여 채널이 기판과 완전히 분리되도록 하였다. 그 후 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하여 게이트가 채널의 전면을 감싸는 구조를 갖추면서 게이트의 모든 면과 채널이 만나 접점 면적이 핀펫 대비 더욱 늘어 트랜지스터 성능을 높였다.
6. 파운드리 산업 전망 및 중요성
21세기는 4차 산업혁명의 과도기적인 시기로 앞으로 5G, 자율주행 자동차, AI(Artificial Intelligence), 고성능 컴퓨팅(HPC), 가상현실(VR) 등 첨단 산업이 급격하게 발달할 것으로 전망된다. 이에 갈수록 빠른 data 전송 속도를 요구하고 처리해야 할 정보량이 늘어나며 고효율, 고성능의 시스템 반도체의 필요성이 증가할 것이다. 즉, application 다변화에 따른 다양한 스펙의 반도체를 요구하는 펩리스 기업이 늘어날 것이며 펩리스 고객들은 더 많은 양의 반도체를 파운드리 업체에 맡길 것이기 때문에 파운드리 산업은 4차 산업혁명 시기에 폭발적인 발전이 예상된다.
반면, 삼성 파운드리가 개발에 성공한 GAA는 Gate All Around의 약자로 3면을 쓰는 핀펫(FinFET)의 각형 구조를 보인다. GAA구조에서는 모든 면이 게이트가 될 수 있도록 FinFET보다 더 원형 구조를 띠고 있으며 채널 하부에 존재하는 실리콘 옥사이드(SOI)층을 부분적으로 식각하여 채널이 기판과 완전히 분리되도록 하였다. 그 후 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하여 게이트가 채널의 전면을 감싸는 구조를 갖추면서 게이트의 모든 면과 채널이 만나 접점 면적이 핀펫 대비 더욱 늘어 트랜지스터 성능을 높였다.
6. 파운드리 산업 전망 및 중요성
21세기는 4차 산업혁명의 과도기적인 시기로 앞으로 5G, 자율주행 자동차, AI(Artificial Intelligence), 고성능 컴퓨팅(HPC), 가상현실(VR) 등 첨단 산업이 급격하게 발달할 것으로 전망된다. 이에 갈수록 빠른 data 전송 속도를 요구하고 처리해야 할 정보량이 늘어나며 고효율, 고성능의 시스템 반도체의 필요성이 증가할 것이다. 즉, application 다변화에 따른 다양한 스펙의 반도체를 요구하는 펩리스 기업이 늘어날 것이며 펩리스 고객들은 더 많은 양의 반도체를 파운드리 업체에 맡길 것이기 때문에 파운드리 산업은 4차 산업혁명 시기에 폭발적인 발전이 예상된다.
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