반도체 소자의 제조공정

소개글

반도체 소자의 제조공정에 대한 보고서 자료입니다.

목차

반도체소자의 제조공정
1. 단결정성장

2. 규소봉절단

3. 웨이퍼 표면연마

4. 회로설계

5. 마스크(Mask)제작

6. 산화(Oxidation)공정

7. 감광액 도포(Photo Resist Coating)

8. 노광(Exposure)공정

9. 현상(Development)공정

10. 식각(Etching)공정

11. 이온주입(Ion Implantation)공정

12. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정

13. 금속배선(Metallization)공정

14. 웨이퍼 자동선별(EDS Test)

15. 웨이퍼 절단(Sawing)

16. 칩 집착(Die Bonding)

17. 금속연결(Wire Bonding)

18. 성형(Molding)

본문내용

반도체소자의 제조공정
반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 아래의 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다.
1. 단결정성장
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시킨다.
2. 규소봉절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의 크기는 규소봉의 구경에 따라 결정되며 3인치, 4인치, 6인치, 8인치로 만들어지며 최근에는 12인치 대구경 웨이퍼로 기술이 발전하고 있다.

키워드

반도체,   제조공정,   etch,   photo,   CVD