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게이트 변환 실습
< 202페이지 Source 코드 참고 >
게이트 변환 - entity gate_changel is
Fort ( a : in STD_LOGIC);
,b : in STD_LOGIC);
,y : out STD_LOGIC);
end gate_changel;
architecture Behavioral of gate_changel is
Begin
y <= (not a) nand (not b);
End Exam;
end Behavioral;
< 시뮬레이
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게이트 바로 뒤에 AND 게이트가 이어지는 것 같이 동작합니다. 두 개의 입력 모두가 "참"인 경우에만 출력이 "거짓"이 되고, 그렇지 않은 경우는 모두 "참"입니다.
< 그림 13-5 NAND 회로 >
▶NOR게이트
NOR회로는 OR회로에 NOT회로를 접속한 OR-NOT
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게이트를 사용한다면은 4개의 모든 문이 열려야만 (1,1,1,1) 경보가 울리게될것이다. 그러면 경보의 의미는 없어지므로 OR게이트를 이용해야한다.
4.회로에 2-입력 NOR게이트가 필요하지만, 지금 가지고 있는 것은 7400(4조 2-입력NAND게이트)만 가지
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게이트 회로에서 저항값은 R1은 4kΩ, R2는 1.6kΩ, R3는 2kΩ, R4는 5kΩ 정도가 된다.
TTL 게이트에서는 입력의 수를 늘리려면 입력 트랜지스터의 이미터 수를 늘리면 된다.
(a) 입력에 저전압 공급
(b) 입력에 고전압 공급
[그림] 표준 TTL NAND 게이트 동
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NAND 게이트 구현
실습 날짜 : 9월 13일
목적 : 대수식의 최소화 외에도 주어진 식을 다른 어떤 형태로 나타낼 필요가 있을 때,
그리고 주어진 설계상의 제약을 만족시키기 위한 대수식의 조작을 익힌다.
회로도
＿고찰
위 회로는 2입력 NAND게이
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탕으로 두 입력 신호를 논리‘0’으로 리셋 시키는 구조를 사용함으로써 Up과 Down신호가 충분한 시간동안 논리‘1’의 값을 유지할 수 있도록 설계하였고 이에 따라 위상주파수 검출기가 NAND 게이트의 문턱전압에 상관없이 동작하게 함으로써
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NAND 게이트를 이용한 메모리 반도체를 다룬 경험이 있습니다. 당시 메모리 비전 2030을 통하여 비메모리의 Foundry 산업...(이하생략) - 자기소개서
LS엠트론 및 해당 직무에 지원하게 된 동기에 대하여 기술해 주시기 바랍니다. (최소 100자,
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