|
이번 학습에서는 NAND Flash의 Read와 Erase 방법에 대하여 알아본다.
NAND Flash는 Thershold 전압 0V를 기준으로 TR ON/OFF를 결정한다.
Cell Current는 Read시의 전류를 나타내는 것으로 Sensing Margin을 결정하는 중요한 요소이다.
Erase시에는 PP-Well에 고
|
|
|
NAND Flash는 FN-Tunneling을 이용하여 Program/Erase를 한다.
Floating Gate는 Control Gate와 Substrate사이에 위치하며 Coupling에 의하여 전압이 유도된다.
Control Gate 전압중 Floating Gate에 영향을 주는 Factor를 Coupling Ratio라고 하고 ONO와 Tunnel Oxide Capacitance에 의하
|
|
|
플래시 메모리 제품을 개발하였다.
2. Flash Memory 의 구조
- NVM : Non Volatile Memory
- ROM : Read Only Memory
- OTP : One Time Programmable ROM
- EPROM : Erasable Programmable ROM
- EEPROM : Electrically Erasable & Programmable ROM
9) Nand 플래쉬 메모리에서의 Invalid Block
• Nan
|
|
|
대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM대비 ¼)
ROM
MASK ROM
PROM (Programmable ROM)
OTPROM(One Time PROM)
EPROM(Erasable PROM)
UV-EPROM(Ultra Violet EPROM)
EEPROM(Electrically EPROM) Introduction
Floating gate의 작동원리
NOR $ NAND type
SONOS
Flash Memory Application
|
|
|
Flash File System)이라는 소프트웨어가 별도로 필요하다는 점이 단점으로 지적되고 있다.
디지털카메라용 플래시 필름에서는 샌디스크사의 PCMCIA 규격을 채용한 Compact Flash 형이 현재 코닥, 캐논, 폴라로이드, 소니 등에서 디지털 카메라 규격으로
|
|
 |
ISP 포트는 PC 의 프린트포트와 연결하여 디바이스의 EEPROM 과 PROGRAM MEMORY 영역을 자유롭게 READ/WRITE 할 수 있다. 1. 서론 -----------------
1.1. 동기 및 개요 -----------------
1.2. 목적 -----------------
1.3. 새로운 시스템 -----------------
2. 본론 ----
|
|
 |
플래시(NAND Flash)
- 플래시 메모리의 한 형태로 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있으며 데이터를 자유롭게 저장·삭제할 수 있다. 저장단위인 셀을 수직으로 배열해 좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있도록 돼 있어 대용량이 가
|
|
 |
플래시, FinFET등으로 식각공정이 미세화되고 NAND적층이 고도화됨에 따라 식각공정엔지니어의 역할이 커지고 있습니다. 저는 권오현 회장님의 ‘초격차’를 읽으면서 세계 1등을 차지하고 있으면서도 초격차를 유지하는 삼성에서 함께 일하고
|
|
메뉴펼치기
