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실리콘은 CZ(Czochralski)법과 결정 인상 장비를 사용하여 웨이퍼 제작을 위해 결정성장을 하고 필요한 단결정 잉곳으로 변환된다. 소량의 불순물 재료는 고유 도핑 준위를 이루기 위해 CZ법 동안에 액체 실리콘에 첨가된다. 바람직하지 않는 불순
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  • 등록일 2008.10.07
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실리콘 단결정(single crystal) - 초크랄스키법(CZ법) - 플롯존법(Float Zone Method, FZ) * 그 외의 결정 성장법 반도체 제조 기술 1. 워이퍼 세척 2. 웨이퍼 표면의 오염원과 오염원의 검출 3. 웨이퍼 세척 과정 4. 에칭 5. 습식 식각 6. 실리콘
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  • 등록일 2006.12.27
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성장공정 연마공정 Epitaxial 공정 노광공정 박막형성공정 현상액도포공정 노광공정 에칭공정 Resist 제거공정 확산공정 배선공정 세정공정 웨이퍼절단공정 Bonding공정 패키징공정 테스트공정
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  • 등록일 2004.05.01
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Wafer Preparation 2. Czochralski growth Method & Floating Zone growth Method 3. Cz grower(puller) : furnace, crystal-pulling mechanism, ambient control system 4. Pull speed(v), Segregation coefficient(k) 5. Wafer shaping > Grind, Lapping, Etching, Polishing 6. Current and future trend
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  • 등록일 2007.08.28
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Wafer, Speciality Gas, Die Attach 국내업체의 공급율 : 약 58% 국내업체의 생산구조 : 자체 생산기술이 취약하여 주로 선진업체와 합작 생산. 반도체 재료업계의 약 80%가 외국기업과의 자본 및 기술제휴 주요 제품별 국내수요 : 실리콘웨이퍼(29.3%), 리
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  • 등록일 2006.11.25
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논문 1건

실험 결과 및 고찰 Ⅲ. 실리콘 주형의 제작과 분광기의 제작 1. 반응성 이온 식각 공정(RIE;Reactiva Ion Etching Process) 2. UV 몰딩(UV-molding) 공정을 이용한 분광기의 제작 3. 분광기(Spectroscopic component)의 특성 고찰 Ⅳ. 결 론 Ⅴ. 참고 문헌
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  • 발행일 2010.03.05
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