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BJT(Bipolar junction Transistor)라고도 한다.
* 바이폴라 연산 증폭기
2극성 트랜지스터(BJT)를 써서 만든 연산 증폭기 IC의 대표적인 것이 741형 소자
- 전원 전압 ±22[V]까지, 입력 전압의 변화 폭(voltage swing)은 ±15[V]까지 가할 수 있게 되어 있으며, 한 IC
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BJT활성화 바이어스 방식
에 대해서 설명한다.
- 공통 이미터
- 공통 베이스
- 공통 켈렉터
○ 공통 이미터, 공통 베이스
공통 컬렉터 방식에 대해
서 충분히 이해할 수 있도
록 PPT자료와 교과서를 참고하며, 관련 내용을 필
기 할 수 있도록 한다
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특성이 있는데, 이번실험을 통해 출력단의 특성을 알 수 있게 되었다. Class-B의 경우 파형이 왜곡되어서 나오는데, 다이오드를 이용해 파형이 왜곡되는 특성을 보완해주는게 새로웠다. 1. Introduction
2. Problem Statement
3. Implementation
4. Result
5.
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이득을 구하시오. 이론적으로 소신호 이득을 계산하고 시뮬레이션 값과 비교하시오. 를 변화시키면 바이어스 전류가 변화하기 때문에, VBB를 다시 조절하여 가 되게 하여야 한다.
=> 가 약 0.5mA(500uA)가 되는 VBB의 값은 2.175V입니다.
=> AC 해석
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특성을 갖는다. TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘, CdSe가 사용된다.
4. 전자소자의 종류
- 수동소자 : R, L, C
- 진공관 : 2극관, 3극관, CRT
- 반도체 소자
Diode
BJT
MOSFET
광전자소자(LED, LD)
IC(LSI, VLSI, ULSI)
TFT(Thin Film Transistor)
Photo vol
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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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. 따라서 대전력 고주파응용(즉, 오디오, VHF/UHF, 마이크로웨이브 앰프)에 가장 알맞다. 1. SIT
2. RCT
3. SIFH
4. LASCR
5. FET-CTH
6. SCR
7. SSR
8. 트라이액
9. GTO
10. IGBT
11. IGCT
12. PUT
13. 트랜지스터
14. BJT
15. JFET
16. MOSFET
17. FET와 BJT의 차이점
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BJT증폭기의 비교
2) 고입력 저항 회로
▶ 부우트스트랩 회로 : 고입력 임피던스 회로
3) 바이어스 회로 및 열적 안정
4) 고주파 트랜지스터의 특성
5)궤환 증폭회로
▶ 부궤환 증폭기의 일반적 특성
CE CB CC
입력임피던스 中 小 大
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BJT와 반대임에 유의
* 채널길이변조 효과
: 포화모드에서 드레인 전압이 증가함에 따라 채널의 핀치-오프가 증가, 채널 길이가 △L 만큼 짧아짐
: VDS가 증가할수록 △L이 커지고, 유효 채널 길이가 감소(L’=L-△L)
: Kn값이 커지고 드레인 전류가
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BJT 차동증폭기
두 개의 NPN 트랜지스터 Q1, Q2가 이미터 결합 차동쌍을 구성하고 있으며, 이 트랜지스터 들은 정전류원 IEE에 의해 선형영역으로 바이어스되어 있음. 차동쌍을 구성하는 두 트랜지스터는 특성이 정합(matched)되었다고 가정. 정전류
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