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특성을 알았고 두 회로를 결합함으로써 전압이득이 어떻게 변하는가에 대해서 알 수 있었다. 또한 CE회로와 CE/CC 2단회로에서 볼수 있듯이 CE회로보다 CE/CC 2단 증폭기가 부하저항 변화에 따른 출력전압 변화율도 작아진다는 것도 알 수 있었다.
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항공대 전회실 전자회로실험
CH1 오실로스코프 및 회로 시뮬레이션
CH2 Op-amp
CH3 다이오드
CH4 다이오드의 소신호
CH5 Op-amp 응용실험
CH6 BJT의 특성 및 바이어스 회로
chapter07_
.chapter8_
.chapter9_
.chapter10
chapter11
CH12 공통게이트 및 공통드레
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특성 곡선
3. 실험결과
가. Data Sheet
1) BJT
AV
CE = 22㎌ 일 때
CE = 680㎌ 일 때
주파수 [㎐]
3㏈
주파수 [㎐]
3㏈
계산치
218
188
154
7.6
154
모의치
214
188
155
7.6
157
실험치
200
141
141
오차율(%)
8
8
8
2) JFET
AV
CS = 22㎌ 일 때
CS = 680㎌ 일 때
주파수 [㎐]
3㏈
주파수
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특성을 나타내기 위한 상수를 표시하는 방법 중에서 가장 대표적인 것이다.
(3) NPN BJT 소신호 공통 이미터 증폭기 회로를 그려서 설명하고 전압이득, 입력
임피던스, 출력 임피던스를 구하시오.
- 전압이득
CE증폭기의 전압이득 는 입력 신호전
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특성을 지니게 된다. 트랜지스터의 특성과 응용 예는맨 처음에는 좀 처럼 이해가 되지 않을 수 있다. 하지만앞으로 하게 될 트랜지스터 실험을 계속하다 보면자연스럽게 이해하게 될 것이다.앞으로의 실험에서 한가지빼고는 모두 트랜지스터
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시뮬레이션으로 구한 저주파 소신호 이득과 비교하시오. 단, BJT는 CA3046 Gummel-Poon SPICE 모델을 사용하라. PSPICE 모델 변수 변경에 관해서는 부록4를 참고하시오. =0.5mA가 되게 VBB를 조절한다.
=> =0.5mA가 되는 VBB의 값은 6.3V입니다.
=> transient해
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BJT와 FET의 비교로 보는 특징 및 장점,단점
가) 자기바이어스(JFET)
① JFET의 동작원리
*** 핀치오프 점?
② JFET의 특성
④ Q점의 결정
나) 전압 분배 바이어스 회로(JFET)
다) Zero 바이어스 회로(공핍형 MOSFET)
라) 드레인 궤환 바이어스(증가형 M
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BJT 트랜지스터 모델링
(BJT는 바이폴라 정션 트랜지스터로 쌍극성 접합 TR)
1)류영역에서의 증폭
2)T트랜지스터의 모델링
3)중요한 파라미터들 Z Z A A
4)r트랜지스터 모델...
5)하이브리드 등가모델
6)h정수를 사용한 회로모델
7)h파라
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특성 곡선에서 얻은 값과 비교하라.
답 :
이론
PSpice 모의실험 13-1
드레인 전류를 구하라.
답 : 928.0uA
2. 드레인-소스 전압을 구하라.
답 : 15V
3. 게이트-소스 전압을 구하라.
답 : 23.04uV
4. 직류 전원 VDD에서 전달되는 직류 전력을 구하라.
답 : 13.92mW
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BJT 증폭기
2. 저주파 응답 - FET 증폭기
Ⅷ. 통신시스템의 신호해석
1. 개요
2. 신호의 분류
3. Fourier Series
1) Exponential Fourier Series
2) 삼각 Fourier Series
3) 전력 신호에 대한 Parseval 정리
4) Sampling Function(Sinc Function)
4. Fourier Spectrum
1) τ고정, T변
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