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전압-전류 특성
(7) BJT 기본 증폭기
(8) 온도의존성
(9) 이미터 안정화 저항
(10) 고정바이어스
(11) 전압분배 바이어스
(12) BJT 실제 특성
(13) 이미터 공통 증폭기
(14) 달링턴 증폭기
실험방법
실험 1. 간단한 공통 이미터 증폭기
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BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정한 데이터를 비교하라. 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터 사이의 오차를 토의하시오.
공통 컬렉터 증폭기 Multisim
공통 컬렉터 증
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의 변화가 생기는 이유를 설명해 보시오.
-> (b)의 경우는 Re값이 변함에 따라 BJT의 에미터단의 저항이 바뀌게 되고, 그에 따라 에미터단에 흐르는 전류가 많아지고, 콜렉터단에 흐르는 전류도 커져서 전압이득이 커졌다.
(c)의 경우는 Re가 0
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터 특성곡선
콜렉터 특성곡선을 얻기 위해서는 먼저 , 그 후에 시켜서 얻는다. Pspice에서 이작업을 할 때 이 순서는 매우 중요하다.
그림 6의 특성곡선은 “”될 때마다 한 개의 곡선이 생긴다.
그림 6에서 각 영역은 다음과 같은 작용을 한다.
(
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BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이 회로를 구성해서 PSPICE 시뮬레이션을 수행하여 log()and log() vs (Gummel plot), -log(), - 그래프를 구하시오. 단, CA3046의 Gum
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브레드 보드의 문제거나, CA3046 소자에 이상이 있어 이러한 값이 나타난 것으로 보이며, 이번 실험이 BJT를 이용한 마지막 실험이었는데, BJT에 대한 마지막 실험이 제대로 되지 않아 아쉬운 마음이 들었다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
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특성곡선
트랜지스터의 동작특성을 나타낸다.
1) 콜렉터 곡선: 콜렉터 전류
I_C
, 베이스 전류
I_B
및
V_CE
의 관계 곡선
2) 베이스 곡선:
I_B
와
V_BE
사이의 관계를 나타내는 곡선
3) 베타 곡선:
beta
, 온도 및
I_C
사이의 관계를 나타내는 곡선이
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BJT의 두가지 형태 : NPN, PNP
1. 고정 바이어스
비교적 간단하고 Q점이 점이 트랜지스터의 순방향 전류 전달비 전달비(β)와 온도에 민감하다는 결점이 있다. 고정 바이어스 회로의 부하선 상에서 Q점의 정확한 위치를 예상하기 어려울 수 있다.
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하고 차이 나는 신호를 차동 모드 (difference-mode) 또는 차동 신호 (differential signal)라 한다. 공통 모드 전압에 대해서는 차동 증폭기가 둔감하고 차동 신호에 대해서는 민감한 특성을 가진다.
19장 능동 부하를 가진 BJT 차동 증폭기
고찰
전자회로
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BJT의 고정 바이어스 회로
4. PNP형 BJT의 고정 바이어스 회로
5. NPN형 BJT의 전압분배 바이어스 회로
6. 바이어스 안정도
BJT의 와 는 온도에 비교적 민감하게 영향을 받으며, 트랜지스터에 따라 약간 씩 차이가 있다. -> 온도, 트랜지스터 특성변
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