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재료들이 지금 사용 하거나 새로나온 3D프린터등에도 사용되고 앞으로의 일자리나 발전 가능성이 많다는 것을 알 수있어 더욱더 관심을 가지게 되어 좋았습니다. 서론
실험목표
본론
1부:BJT 특성곡선
2부 :BJT 스위치 회로
결론
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BJT의 입력 저항의 두 배로 충분히 큰 값을 가짐을 알 수 있다.
* PSPICE를 통한 transfer curve 측정
위의 curve 그림을 통해 알 수 있듯이 약 input이 -0.7~0.7(V)의 구간에서는 output이 0(V)가 나오고 나머지 구간에서는 linear한 특성을 가짐을 볼 수 있다.
outp
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BJT
1) 다음 [그림 4-14]의 회로를 이용하여 간의 전압-전류 특성과 사이의 전압-전류 특성을 측정하라(가 0.1V에서 0.7V까지). 두 결과를 바탕으로 와 의 크기를 비교해보아라.
2) [그림 4-15]의 회로에서 간의 전압-전류 특성을 측정하라. 를 5, 10,
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트랜지스터 단자 판별법
베이스 판별법!!
1. 멀티미터 저항계를 X100 또는 X1000범위맞춤
2. 한 측정봉 TR의 임의의 핀에 두고 나머지 봉으로 TR의나머지 두핀에 각각 대어 봄
3. 반복하여 두핀 모두 순방향 지시하는상태 즉 R=0인상태에서 NPN TR이
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E-06
5.074E-04
7.820E-01
1.015E+00
3.000E+00
4.153E-06
9.020E-04
1.371E+00
1.804E+00
4.000E+00
6.042E-06
1.268E-03
1.994E+00
2.536E+00
5.000E+00
8.018E-06
1.608E-03
2.646E+00
3.215E+00
- BJT 특성 곡선 -
.OP
.PROBE
.DC LIN V2 0 10 0.05
+ LIN V1 0 3 1
V1 1 0 0V
V2 3 0 0V
RB 1 2 200K
Qd 3 2 0 Q2N
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BJT) 특성과 BJT의 고정 바이어스 및 전압분배기 바이어스에 대하여 실험을 하였다.
약한 신호를 증폭하는 장치를 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)라하고 이를 바탕으로 8장 실험을 하였다.
실험 8-2 컬렉터 특성은
가된다.
실험에서는 표 8.3을 바탕
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실험 주제
피드백 회로, 이미터 안정화 회로, 전압 분배기 회로를 설계할 줄 안다.
실험 장비
DMM, Resistors(300Ω, 1.2kΩ, 1.5kΩ, 3kΩ, 15kΩ, 100kΩ), 1MΩ potentiometer,
2N3904 TR, 2N4401TR, DC Power Supply
실험 방법
Part 1. Collector-Feedback Configuration 실
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특성 곡선을 그린다. 를 수평축으로, 를 수직축으로 잡는다.
4. 예상결론
▶ 트랜지스터는 걸리는 전압에 의해 스위칭 되는 FET와는 반대로 흐르는 전류에 의해 스위칭되는 소자이다. BJT는 소수캐리어확산 거리에 비해 상당히 좁은 영역을 사이
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생긴 도선이나 브레드보드의 내부저항, 전류나 전압을 측정할 때 멀티미터의 내부저항이 실험에서 발생한 오차에 영향을 미쳤을 것이다. 이러한 BJT의 특성곡선을 이용해서 DC, AC 전류 증폭기, 스위치 등등에 응용할 수 있을 것이다. 없음
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BJT의 동작
1) Forward Active Mode (혹은 그냥 Active Mode, 능동 상태)
2) Saturation Mode (포화 상태) - 스위치 구성에 사용함 (ON상태)
3) Cut-off Mode (차단 상태) - 스위치 구성에 사용함 (OFF상태)
3. 실험결과
실험 1. Transistor 특성 곡선
실험 2.
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