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BJT 전류-전압 특성
NPN BJT 의 직류 전류이득 βDC 계산값
직류 전류이득 βDC (계산 값)
10
1.374
137.40
20
2.981
149.05
30
4.629
154.30
40
6.276
156.90
50
7.905
158.10
60
9.509
158.48
70
11.085
158.36
80
12.63
157.88
90
14.146
157.18
100
15.631
156.31
■ 모의실험회로 1-b : BJT
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많이 사용 : 게이트에 전류가 흐르지 않으므로 전력소모가 적고 공정상 집적도가 높다. 1. 트랜지스터의 역사
2. 트랜지스터의 종류
3. 트랜지스터의 구조
4. 트랜지스터의 전류
5. p형,n형 동작특성
6. BJT 전류-전압 특성
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BJT의 저주파와 고주파영역에서의 특성을 실험했는데, 실험이 약간의 차이에도 결과가 크게 변하기 때문에 실험하기 어려웠습니다. 그리고 저희조의 오실로스코프 프로브가 고장이 나서 작은 신호를 측정하지 못하여서 아쉬웠습니다. 그래도
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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BJT의 비교
FET와 BJT의 장단점
- 장점
①동작은 다수 캐리어만의 이동에 의존하므로 단극성소자 (unipolar device)이다.
② 접합 트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전압증폭소자에 적합하다.
③ 잡음특성이 양호하여 소신호
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BJT와 R로 구성된 회로(Inverter)
<회로 1> Pspice로 구현(VI=0V) simulation 결과 Vo=5v
<회로 1> Pspice로 구현(VI=5V) simulation 결과 Vo≒0V
2) BJT와 R로 구성된 회로(Nor-gate)
<회로 2> Pspice에 구현 (VI1=VI2=0V)
simulation 결과 Vo=5v
<회로 2> Pspice에 구현 (
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BJT는 크기가 크기 때문에 요즘 많이 쓰이지 않게 되었고, FET는 RAM,CPU등등 일반적으
로 반도체가 들어가는 제품에 거의 다 들어가 있습니다.
구 분
FET
BJT
동작원리
다수 캐리어에 의해서만 동작
다수 및 소수 캐리어에 의해서 동작
소자특성
단
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특성을 갖는 커패시터이며, 채널을 통한 전도는 게이트와 소스사이에 인가된 전압에 의하여 제어 된다. 그러므로 MOSFET의 입력전류는 J-FET에 비한다면 입력전류와 대립이 되는 커패시터의 누설전류로서, 이는 역방향 바이어스된 pn접합의 누설
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특성곡선 그래프를 얻을 수 있었다.
만약 여기에서
{I}_{B}
를 변화시킨후
{V}_{CE}
변화에 따른
{I}_{C}
의 변화를 관찰해보았으면 다음과 같은 그래프도 얻을 수 있었을 것이다. 그러나 여기까지는 해보지 못하였다. 1. 실험목적
2. 결과 데이
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BJT에는 다음과 같은 두 가지 종류가 있다. 하나는 npn이라고 부르고 다른 하나는 pnp라고 부른다. 이러한 특성이 나뉘는 것은 접합의 형태가 다르기 때문이다.
이 둘의 차이점을 좀 더 구체적으로 이해하려면, 이들이 동작을 했을 때가 어떤
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