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1.목적
논리 반전기의 회로 기능과 중요한 특성 및 BJT를 이용한 논리 반전기 회로를 실험을 통해 이해
2.예비지식
2.1 이상적인 디지털 논리 반전기
그림 16.2 (a) 이상적인 논리 반전기의 전압 전달 특성과 (b)입-출력 전압 파형.
2.2 BJT 논리 반전
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는 조금 증가하다가 거의 일정한 값을 유지하는 것을 확인할 수 있었습니다. (전류이득이란, 베이스 전류가 얼마나 증폭되는지를 나타내는 것입니다.) 전류이득 을 이용하여 측정한 컬렉터와 베이스의 전류로 전류이득 값을 구할 수 있었습니
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특성과는 차이가 있다는 것을 관찰 할 수 있다.
실험 4) Part Browser 대화 상자에서 BJTs NPN의 Gen. Purpose를 사용하여 BF554, 2SC2912, 2N4239, 2N5582 등을 이미터접지 회로에 적용하여 입력과 출력 특성을 측정하시오.
각각의 트랜지스터를 이미터 접지 회
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BJT 소자에 대한 특성분석
1) Maximum ratings
2) THERMAL CHARACTERISTICS
3) ELECTRICAL CHARACTERISTICS
4) Small-Signal Characteristics
3. 이론적인 설계과정
1) 제약조건
2) 기본적인 회로 소자
3) 설계과정
(1) 직류해석
(2) 교류 해석
4. CAD 도구(OrCA
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BJT의 공통 이미터 증폭기’와 특성이 비슷하다는 사실을 알았다. 공통 이미터 증폭기와는 입력 임피던스의 크기가 크다는 점이 달랐지만, 회로의 구성을 바꿔줌에 따라 전압이득이 커지고 작아지는 특성은 비슷하다는 사실을 알 수 있었고,
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BJT를 이용한 CE 증폭기 구현 및 특성 분석
왼쪽의 회로도를 만들고 각 소자에 값을 입력하였다. 전압원은 VSIN 소자를 사용하였고 VOFF=0, VAMPL=10mV, FREQ=1k 로 설정하였다.
- R1 왼쪽과 C2 오른쪽에 Marker를 두개 지정하고 Transient를 설정하여 시뮬레
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BJT보다 구동하기가 쉽고,
(2) BJT처럼 온드롭(on-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET보다 훨씬 큰 전류를 흘릴 수 있고(3) GT0 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다. 그림 2-36의 (a)는 IGBT의 전압-전류특성을, (b)는 이상적인
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특성과 트랜지스터 및 진공관 특성 비교
FET는 전계 효과 트랜지스터라 불리는 트랜지스터로써 BJT와 기본적인 증폭 및 스위칭동작은 유사하다. FET는 소스, 드레인, 게이트단을 갖고 있으며 게이트단에 가해주는 전압의 레벨에 따라 드레인-소
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특성)
11. Zener diode_DC (제너 다이오드 DC 특성)
12. Zener diode_Shunt Regulator (제너 다이오드 - 단정류기)
13. Zener diode limiter (제너다이오드 리미터)
14. MOSFET N type bias (모스펫 N 타입)
15. MOSFET P type bias (모스펫 P 타입)
16. BJT_NPN type bias (BJT NPN 타입)
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특성
- 증폭기의 이득이 감소한다.
- 비선형 일그러짐이 감소(출력단자의
잡음이 감소)
- 주파수 특성 개선
- 입력임피던스 증가, 출력임피 감소
- 부하변동, 전압변동에 증폭도 안정
18.
19. R-L-C 합성입피던스
유도리액턴스 :
용량리액턴스 :
2
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