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목차
1. 에피택시란 ???
2. 액상 에피택시(LED: Liquid-Phase Epitaxy)
3. 기상 에피택시(VPE : Vapor Phase Epitaxy)
4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)
5. CVD, PVD
6. Epitaxy 검사장비의 종류 및 설명
7. 박막두께 측정장비 종류 및 설명
2. 액상 에피택시(LED: Liquid-Phase Epitaxy)
3. 기상 에피택시(VPE : Vapor Phase Epitaxy)
4. 분자빔 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)
5. CVD, PVD
6. Epitaxy 검사장비의 종류 및 설명
7. 박막두께 측정장비 종류 및 설명
본문내용
결정재료가 녹아 있는 포화용액을 기판과 접촉시켜서 결정을 성장시키는 것
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술 (반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 있어, 이 경우에 LPE가 사용된다.)
1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용
LPE법은 많은 반도체 결정들을 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 성장시킬 수 있는 기술 (반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리한 경우가 있어, 이 경우에 LPE가 사용된다.)
1963년 Nelson에 의해 최초로 구현된 후, 주로 Si, GaAs, AlGaAs, GaP 에피택시에 널리 이용
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