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결과
※ 그림 8-2의 시뮬레이션 결과
※ 그림 8-4의 시뮬레이션 결과
※ 그림 8-6의 시뮬레이션 결과
5. 데이터 시트
※이번에 사용한 소자는 트랜지스터 2N3904입니다.
6. 실제 실험 결과
① P. 62 그림 8-2의 회로 실험 결과
파라미터
계산값
측정값
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모든 논리 회로를 구성할 수 있는가 답하고 그 이유를 논하라.
① OR : X + Y = (X'Y')Z'
② NAND : (XY)' = X' + Y
③ NOR : (X + Y)'
④ Exclusive-OR : A + B = (X'Y')(XY)'
⑤ Equivalence X ≡ Y = (X+Y)' = {(X'Y')'(AB)'}' 트랜지스터
다이오드
논리게이트 결과보고서
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실험에서는 예상한것이 주파수를 높이면 높일수록 데이터가 증폭이 덜 될줄 알고 있었는데 별 차이 없다는것이 신기하였다. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
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. 이때 관계가 성립한다.가 증가할수록 는 경향이 보일 것이다. 그리고 BJT의 허용전력이 있으므로 실험시 너무 많은 전류가 흐르게 하지 않도록 주의 한다. 실험을 다 했을 때 아래와 같은 콜렉터 전류 특성 그래프가 그려질 것이다. 없음
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실험에 대해 조금 더 능숙 했었다면 충분히 줄일 수 있었던 오차였다.
세 번째로 트랜지스터 자체에 문제가 있는지 테스트 해 보지 않고 실험에 임한 것이다. 트랜지스터 자체에 문제가 있을 경우 실험이 원활하게 이루어지지 않고 그 결과
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.
6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 없음
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표2에 나머지 값들도 바꾸어 가면서 기록한다.
Potentiometer
{R}_{1}
를 조절하여
{I}_{B}
가 표2의 나머지 값들이 되게 설정하여 측정한후 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성 곡선을 알아본다.
그림 5- IC-VCE 특성 실험회로.
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특성곡선 그래프를 얻을 수 있었다.
만약 여기에서
{I}_{B}
를 변화시킨후
{V}_{CE}
변화에 따른
{I}_{C}
의 변화를 관찰해보았으면 다음과 같은 그래프도 얻을 수 있었을 것이다. 그러나 여기까지는 해보지 못하였다. 1. 실험목적
2. 결과 데이
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이 실험에서는 트랜지스터의 동작 특성에 대해 실험하였는데 트랜지스터를 이용하여 이미터, 컬렉터, 베이스 사이의 전류를 측정하고 베이스 전류에 따라 입력되는 전압에 따라 측정되어 나오는 출력 값이 다르다는 것을 알 수 있었고 그리
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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