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실험에서는 예상한것이 주파수를 높이면 높일수록 데이터가 증폭이 덜 될줄 알고 있었는데 별 차이 없다는것이 신기하였다. 이론
1)트랜지스터 개요
2)바이폴라 접합 트랜지스터
3)트랜지스터의 동작특성
4)BJT의 응용 : 증폭회로
실험
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. 이때 관계가 성립한다.가 증가할수록 는 경향이 보일 것이다. 그리고 BJT의 허용전력이 있으므로 실험시 너무 많은 전류가 흐르게 하지 않도록 주의 한다. 실험을 다 했을 때 아래와 같은 콜렉터 전류 특성 그래프가 그려질 것이다. 없음
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실험에 대해 조금 더 능숙 했었다면 충분히 줄일 수 있었던 오차였다.
세 번째로 트랜지스터 자체에 문제가 있는지 테스트 해 보지 않고 실험에 임한 것이다. 트랜지스터 자체에 문제가 있을 경우 실험이 원활하게 이루어지지 않고 그 결과
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6. 실험에 사용한 트랜지스터의 특성을 data book에서 찾아서 실험결과와 일치하는지 확인 하라.
-2N2907A pnp형
= -60V = -60V =-600 = 400 = 300 = 300ns
-2N2222A npn형
= 40V = 75V = 800 = 500 = 0 = 250ns
참고 문헌: 네이버/구글 검색엔진 & 전자회로 7판 없음
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표2에 나머지 값들도 바꾸어 가면서 기록한다.
Potentiometer
{R}_{1}
를 조절하여
{I}_{B}
가 표2의 나머지 값들이 되게 설정하여 측정한후 기록한다.
이 결과를 이용하여
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성 곡선을 알아본다.
그림 5- IC-VCE 특성 실험회로.
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특성곡선 그래프를 얻을 수 있었다.
만약 여기에서
{I}_{B}
를 변화시킨후
{V}_{CE}
변화에 따른
{I}_{C}
의 변화를 관찰해보았으면 다음과 같은 그래프도 얻을 수 있었을 것이다. 그러나 여기까지는 해보지 못하였다. 1. 실험목적
2. 결과 데이
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론
이 실험에서는 트랜지스터의 동작 특성에 대해 실험하였는데 트랜지스터를 이용하여 이미터, 컬렉터, 베이스 사이의 전류를 측정하고 베이스 전류에 따라 입력되는 전압에 따라 측정되어 나오는 출력 값이 다르다는 것을 알 수 있었고 그
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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트랜지스터의 재료는 실리콘(Si)이고, 약 0.3V이면 게르마늄(Ge)이다. 만일 이미터가 다이오드 시험눈금이 없다면 반도체 재료를 바로 결정할 수 없다. 1. 트랜지스터 형, 단자, 재료 결정 절차
2. 트랜지스터 실험1 결과 1
3. 트랜지스터 실
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실험제목
2. 실험목적
3. 실험도구
4. 실험이론
5. 실험방법
6. 고찰
7. 참고문헌
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