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◎ 한규희, 디지털전자회로, 크라운 출판사
◎ H. E. West, CMOS VLSI 설계의 원리 Ⅰ. MOS의 원리
Ⅱ. MOS의 제조공정
Ⅲ. CMOS의 원리
Ⅳ. CMOS의 인터페이스
1. CMOS와 TTL의 interface
2. TTL과 CMOS의 interface
Ⅴ. 논리계열의 특징
참고문헌
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CMOS/SOS 회로가 발표됨
1968년 MOS 메모리 집적회로가 처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표 반도체 제조 공정의 역
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MOS FET가 마이크로프로세서와 메모리칩과 같은 디지털 집적회로뿐만 아니라 아날로그 집적회로와 디지털과 아날로그 혼용 집적회로에도 널리 사용되고 있다. 전계효과 트랜지스터는 집적도가 높고, 제조 공정이 단순하며, 양극성 접합 트랜
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반도체에서 마이크로프로세서로 바꾸는 결단을 내렸다. 그로브는 반도체 부문의 인력과 자원을 마이크로프로세서 쪽으로 돌렸다.
인텔기업의 특징을 살펴보면 CMOS 기술을 이용한 제품 본부제를 시행하여 응용 프로그램의 개발을 통한 제품
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공정은 웨이퍼 표면을 처리해 보호막을 만드는 단계다. 웨이퍼 그 자체는 부도체 상태인데 그 위에 산소, 수증기를 뿌려 산화막을 입히는 것이다. 세 번째, 노광공정이다. 이를테면 반도체 회로의 밑그림을 그리는 과정으로, 사진 현상과 원리
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