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실험을 하는데 있어서 중요한 부분이다. 회로도를 설계하는 것이 끝이 아니라 그 외의 많은 복합적인 요소들에서도 많은 깨달음이 있었던 첫 프로젝트였다. 두 번째 프로젝트에서는 좀 더 완벽한 실험을 해 보이겠다.
논리회로실험 및 설계
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를 참조하여 그림과 같은 디코더 회로를 구성한다. 입력의 상태를 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라. 여기서 인에이블 단자인 4번, 5번 핀은 접지하고, 6번 핀은 +5V의 전압을 인가한다.
C
B
A
Y7
Y6
Y5
Y4
Y3
Y2
Y1
Y0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
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반가산기 : 2진수 덧셈에서 두 개의 비트 A와 B를 더한 합 S와 자리올림(carry) C0를 출력하는 조합회로이다.
전가산기 : 두 개의 비트 A, B와 밑자리로부터의 자리올림 C1을 더한 합 S와 윗자리로의 자리올림 C0를 출력하는 조합회로이다. 가산
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상태를 기록하여라.
E'
S1
S0
D0
D1
D2
D3
Y
1
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
0
X
X
X
0
0
0
0
1
X
X
X
1
0
0
1
X
0
X
X
0
0
0
1
X
1
X
X
1
0
1
0
X
X
0
X
0
0
1
0
X
X
1
X
1
0
1
1
X
X
X
0
0
0
1
1
X
X
X
1
1
회로
결과
시뮬레이션
74138과 7404 IC 핀 배치도를 참조하여 그림과 같은 디멀티플렉서 회로를
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도를 참조하여 아래 회로를 구성한다. 7404, 7408, 7432의 7번 핀은 접지하며, 14번 핀은 +5V의 전압을 인가한다. A와 B에 입력을 표와 같이 변화시키면서 출력 상태를 기록하여라.
B
A
X
0
0
0
0
1
1
1
0
1
1
1
0
시뮬레이션
회로
결과
7400 IC 핀 배치도를 참
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회로 구성을 바꾸어서 어떤 상황 아래에서만 빨리 동작하도록 만들었기 때문이다. 말하자면 메인보드에 캐시메모리를 사용하는 것과 동일하다.
RDRAM(Rambus DRAM) RDRAM은 램버스사에서 개발한 새로운 형태의 DRAM으로서 1바이트당 2ns의 빠른 버스
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회로의 속도를 향상시킨 것이다. 따라서 carry의 계산 속도 개선이 전체 덧셈회로의 속도 개선과 직결된다. 디지털 회로에서 중요한 위치를 차지하고 있는 덧셈 회로의 속도 개선을 위해 여러 carry 계산 방법들이 제안되었다. 1. 실험 결과
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실험자의 의지임을 다시 한번 알게 되었다.
참고문헌
- CMOS 아날로그 / 혼성모드 집적시스템 설계 (상, 하)
,이승훈 외 3명
- A/D 컨버터, 김재현, 1991년
- 전자회로실험, 이행세 외 1명, 2003년
- 디지털 전자회로, 유관식, 2001년
- OP-Amp 회로 실험, 강
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참고 자료
논리회로실험 (정용진·이원석·신평호) 생능출판사
전자공학의 기초 (이영근 저) - 광림사; 601-620p. 미적분 회로
1. 목적
2. 참고 사항
3. 참고 자료
RC 발진기/ Wien 브릿지 발진기
1. 목적
2. 참고 사항
3. 참고 자료
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하는 듯 하지만 육안으로는 500hz를 인식 할 수 없기에 동시에 발광하는 것처럼 표시가 되었다. 촬영에 사용된 카메라도 기본 노출 시간이 1/500sec보다 느려서 모두 불이 들어와 있는 것처럼 촬영되었다. 1. 실험 내용
2. 실험 결과
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