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메모리 인터리빙(memory interleaving)
5) 다중프로그래밍(multiprogramming)
6) 다중처리(multiprocessing)
5. 병렬처리 구조의 분류
1) SISD system; 단일명령어스트림과 단일데이터 스트림
2) SIMD system; 단일명령어스트림, 다중데이터스트림
3
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○ 설계방법이 어려운 반면에 정확하다.
○ 순차논리회로를 이용하여 설계.
5.Simulation
<실험1>
<실험2>
<실험3>
References
www.alldatasheet.co.kr
pspice 기초와 활용
네이버 블로그 1.Title
2.Name
3.Abstract
4.Background
5.Simulation
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메모리의 주소
3. 메모리의 성능 표시
● Access Time (tAC)
● Cycle Time (tCLK)
4. Memory Package 형태상 구분
● Simm과 DIMM
1)SIMM
① 30핀 SIMM
② 72핀 SIMM
2) DIMM
168핀 DIMM
5. Memory Chip의 분류
● RAM (Random Access Memory)
1) SRAM(Static Ram)
- SRAM의 종류
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주어졌다. 정보를 유지하려면 지속적인 전기 공급이 필요하기 때문에 DRAM은 휘발성 기억 장치(Volatile Memory)에 속한다. ◈ DRAM이란?
1. 특징
2. 현재 사용중인 RAM
3. 회로 및 단면도
◈ Flash Memory란?
1. 회로 및 단면도
2. DRAM + Flash Memory
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Memory Access)
- CPU를 거치지 않고 입출력 장치와 메모리 사이에 보다 빠른 데이터를 직접 전송하는 방법
4. 채널(Channel) - 가장 효율적인 입ㆍ출력 방식
(1) 채널의 종류(08년 1회 정보처리 기사출제)
- Selector Channel : 고속 입출력 장치에 사용하
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J. Hwu, T. Boonstra, Y
Chen. and J. Ding: Vaccum 83(2009) 1007.
[5] Evolution of barrier-resistance noise in CoFeB/MgO/CoFeB tunnel junctions during annealing, Ryan Stearrett외 5인, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107, 064502 2010 1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
5. 참고문헌
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본
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메모리로 사용
5)S램(STATIC RAM):데이터를 계속 지니고 있음.
->빠르고 안정적이나 비싸다.
S램은 회로구조가 D램보다 복잡해서 집적도가 높아 16MB D램을 만들 수 있는 집적도로
4MB S램을 만들 수 있음.
캐시 메모리에 사용 EX)P4 CPU L2 CACHE 256K
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실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에
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메모리로서 SRAM과 동등한 수준으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며 DRAM과
같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 제작으로 입증되면서 새로운 메모리로서 시장에 진출할 채비를 갖추어 가고
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