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막구성을 여러 가지의 기판에 coat한 분광반사율 곡선을 그림 8에 표시한다.
3. 실험 장치
진공 증착기 1대, 기판이 Glass 1개, 코팅할 매질
4. 실험 방법
(단층 무반사 박막)
다음과 같은 증착기를 이용하여 단층 박막 증착을 한다. 실험시 모든 방
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증착을 시작한다.
13. 기준파장의 1/4 두께로 쌓이면 Shutter 스위치를 눌러 Shutter를 닫고 레버를 돌려 도가니를 교체(MgF)한 후 다시 Shutter를 열고 방법 13을 반복한다.
14. 위와 같은 방법으로 HLHLHL의 5층 박막을 증착한다.
15. 셔터를 닫고 모든 스위
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증착을 위해서는 진공기(Chamber)와 증착될 물질(Target)과 증착시킬 물질(Substrate) 그리고, target을 가열할 히터(Tungsten Coil)가 구성요소
알파스텝
WAFER 표면 위의 단 차가 있는 박막의 두께(수Å 이상) 및 Step profile을 측정하기 위하여 개발한 장비,
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막재료의 양보다 훨씬 많게 하여 증발
원의 소모를 조금이라도 억제해야 한다.
이 전기저항열을 이용한 진공증착 방법에서는 공급하는 전류량이 충분히 증착재료에 전
달될 수 있도록 증착 source 면적과 열적 접촉 (thermal contact)을 크게 하는
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막재료의 양보다 훨씬 많게 하여 증발
원의 소모를 조금이라도 억제해야 한다.
이 전기저항열을 이용한 진공증착 방법에서는 공급하는 전류량이 충분히 증착재료에 전
달될 수 있도록 증착 source 면적과 열적 접촉 (thermal contact)을 크게 하는
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진공도는 torr 이하로, 에 대한 유량비를 각각 0%, 1%, 2%, 4% 그리고 6%로 변화시켰다. 타겟 표면의 불순물을 제거하기 위하여 Ar가스 하에 5분간 pre-sputtering 한 후 시료의 두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막
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13.7mm로 맞추고, 1.1T 두께의 유리는 약 13.25mm의 두께로 조정한다. 이 실험에서는 1.1T의 유리 기판을 사용했 으므로, 13.25mm로 맞췄다.
④ 배향막 코팅이 된 면이 위로 오도록 스테이지에 올려놓은 후 진공 버튼을 눌러서 유리 기판이 움직이지 않
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진공 장비의 원리를, 반도체공정 수업을 통해 8대 공정에 대한 전문지식을 익혔습니다. 3학년부터는 학부연구생으로 OO대와의 협력 프로젝트에 참여하며 실무 역량을 기르고 있습니다. 저는 학부연구생의 리더로서 기판에 금속 박막을 증착하
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진공 플라즈마에 대한 지식은 공정을 이해하는데 큰 도움이 될 것입니다.
세 번째로 반도체 공정실습에서는 Inductor역할을 하는 웨이퍼를 제작하였습니다. 이 과정에서 노광,식각,증착 등 여러 공정을 직접 진행해보면서 반도체 공정에 대한
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막에 silane을 균일하게 증착하기 위해 박막 증착 기술을 응용했습니다. 감압 환경을 조성하여 재료가 일정 두께로 증착되도록 제어했고, 이를 통해 기포 제거 효율을 극대화한 유체 소자를 완성할 수 있었습니다. 이 과정은 실제 반도체 공정
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막의 소수성 처리가 관건이었습니다. 팀원들과 silane을 다공성 막에 얇고 균일하게 입히기 위한 방안을 모색하던 중, 반도체 공정의 박막증착법에서 아이디어를 얻어 연구실 내 감압장치를 활용하고 해결할 수 있었습니다. 이는 마이크로 단
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