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박막의 손상과 오염, 그리고 버니어 게이지를 읽는 과정에서 눈으로 측정하기 때문에 정확한 범위를 측정하는데 대한 오차등에 의해서 오차가 좀 발생했지만 우리의 실험기구로 나노의 범위를 측정할수 있었다는데 큰 의미가 있는 실험이었
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측정 장치를 이용한 대면적 YBa2Cu3O7-δ 박막의 고주파 표면저항의 균일성 연구” 건국대학교 석사학위 청구 논문(2002).
[13] Sang Young Lee et al., Effects of the two-gap nature on the microwave conductivity of polycrystalline MgB2 films with a critical temperature of 39K, Phys. Rev
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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박막의 두께는 다음과 같다.
t = DELTAL / L · lambda /2
여기서,
lambda
는 단생광의 파장이다. 이 장치의 정밀도는 ±0.8㎚로 5㎚의 두께를 측정 가능하다.
운동량 수송을 사용한 증착률의 모니터링
이 경우에 모니터링을 위해 적용한 성격은 변위가
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두께가 나왔다.
그리고, 네 가지 실험으로 평균값으로 박막의 두께를 예측하면, 264.71nm가 나온다.
6. 검토 및 토의
이번 실험은 진공 증착법에 의해 제작된 박막의 두께를 MBI법을 이용하여 측정하는 실험이다. 간섭무늬가 가장 선명하게 나타
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두께가 대략 50nm 5nm가 되도록 증착하였다.
1-2. 전기적 특성 평가 (I-V)
NiO 박막의 스위칭 특성을 보기 위해서 혼합가스의 산소비를 0%~6% 로 증착하였다. 이렇게 증착한 박막을 400~700℃ 각각 열처리를 한 후 I-V를 측정하였다. NiO의 밴드갭이 3.7~3.9e
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가하는 것을 알 수 있었다.
그림 4 Curve
VD 값을 0.5V로 고정 하고 Curve를 나타낸 그림 5 에서 선형영역의 기울기를 통해 x절편 값인 VT의 값이 0.96V 임을 구할 수 있었고, PVP dielectric의 두께는 -stepper로 미리 예상치를 실험해 130nm값을 측정하였다.
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3.2.3 광흡수층
3.2.4 완충(Buffer) 층
3.2.5 윈도우(Window) 층
3.2.6 반사방지막과 전극
3.2.7 패터닝
제 4장 CIGS 태양전지의 특성평가
4.1 측정목적, 측정장비 및 방법
4.2 측정결과 및 분석
제 5 장 결 론
참고문헌
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측정 13
제 4 장 결과 및 고찰 15
4.1 프리틸트각 15
4.2 TN과 OCB의 응답속도 16
제 5 장 결 론 18
參考文獻 19
그림 목차
[그림 2-1] 각 상에 따른 배향정도 3
[그림 2-2] 네마틱액정 4
[그림 2-3] 콜레스테릭 액정 구조 5
[그림 2-4] 스메틱액정
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두께 150nm라는 공정 조건을 산출하였다. 이러한 과정을 거친 패턴을 이용해 반응성 이온 식각 공정을 적용, 종횡비가 1.32인 실리콘 주형을 제작하였다. 이 실리콘 주형을 사용해 제작한 광 투과성 분광기는 광학 소자로서 기능성이 있는지 실
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