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은 에너지 영역을 사용한다.
- 이온과 표면의 상호 작용의 여러 type
plasma process와 비교하여, 전형적 에너지와 등가 유속 밀도 구역에 의해 정의됨
Figure . Kinetic energy ranges and equivalent flux densities of incident ions for several types of processes. Noted along the x
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실험 목적
2. 실험 관련 이론
▒ 스퍼터링
▒ ITO
▒ 면저항 측정기
▒ 분광계
분광계의 사용 용도
4. 실험결과
1) 면저항 측정
2) 투과도 측정
5. 결과에 대한 고찰
1) 면저항 측정
2) 투과도 측정
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박막의 면적이다. 이때 이 질량에 해당하는 진동수의 변화는,
만큼 나타난다. 수정판의 진동이 탄성파이므로 박막에서도 이런 특성이 유지되는 아주 얇은 경우에 특히 이 방법이 효과적이다. 그래서 가용 주파수가 유효한 주파수 영역이 있다
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박막을 증착시킬 기판을 향해 날아가게 된다. 금속증착에는 직류전원이 필요할 것이고 절연체를 증착시키는 경우에는 교류전원이 필요할 것이다. 화합물을 스퍼터링 할 때 박막의 화학양론을 맞추기 위하여 구성물질 중 하나를 기체화하여
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박막기술의 발전과 함께 고용량의 비휘발성 기억소자가 개발될 전망이다. 이렇게 되면 앞으로 DRAM의 상당부분이 이 비휘발성 기억소자로 대체될 것으로 보인다.
○ 강유전체 특성
자발분극을 가진다.
외부전기저항에 대하여 자발분극의 방향
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스퍼터링 장치를 이용하여 제조되는 투명 전극용 산화인듐주석 박막 및 그 제조방법
- MOD법에 의한 ITO 투명전도성 박막의 제조
- 화학기상증착법에 의한 ＩＴＯ박막 제조방법
- 원자층 증착법에 의한 ITO 박막 제조방법 및 인듐 박막 제
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층형 세라믹 인덕터 개발 동향>
● 박막형 - 세라믹 기판위에 코일 도선을 박막 스퍼터링이나 도금으로 형성.
캐패시터와 달리 인덕터는 자기공진 주파수에서 병렬 공진을하게 되고 무한대의 임피던스 값을 갖게 되어 그 주파수의신호를 억
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박막은 스퍼터링에 의하여 형성된다. 현재 사용되는 LCD용 ITO가 코팅된 유리 기판은 표면 거칠기가 약 200Å이므로 상부에 유기 발광 소자를 제작할 때 층간 접촉면의 두께 편차에 기인한 흑점 (dark spot)등이 발생되어 소자의 신뢰성을 저하시킨
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스퍼터링 방식을 통해 막을 형성하는데, 연속적인 성막을 하는 경우 박막의 조성이 달라져 결국 전기적 특성이 변화하는 안정성 문제를 유발할 수 있는 단점이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해 가격이 비싼 인듐(In)을 대체할 수 있는 물질
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스퍼터링 방법으로 증착을 한다.-10분간의 프리 스퍼터로 샘플에 Ti를 증착시킨다.
기판의 온도를 상온에 유지한 상태로 기판과 타겟간의 거리를 고정 한다.
균일한 박막의 증착을 위하여 기판을 일정한 속도로 회전 시킨다.
공
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