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박막 제조법으로 제작한다. 현재 AC-PDP용 MgO 보호막은 전자빔에 의한 진공증착법, 스퍼터링에 의한 방법 ion plating법 액상으로 제작하는 방법 등이 사용되고있다. 전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 MgO 시료에 충돌
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박막형 태양전지는 마이크론()정도 두께의 물질을 1mm정도 두께의 유리 등에 코팅하여 제작한 것이고, 이것의 특징은 표면이 불규칙한 곳이나 장치하기 어려운 곳에 사용이 가능하며, 장판지처럼 둘둘 말아서 운반하거나 보관할 수 있다. 효율
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박막형 태양전지는 마이크론()정도 두께의 물질을 1mm정도 두께의 유리 등에 코팅하여 제작한 것이고, 이것의 특징은 표면이 불규칙한 곳이나 장치하기 어려운 곳에 사용이 가능하며, 장판지처럼 둘둘 말아서 운반하거나 보관할 수 있다. 효율
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스퍼터링으로 분류된다. 그렇지만 PAPVD에서 공통적인 특징은 각각의 방법들이 모두 이온의 평균에너지를 증가시키는 것과 공정 온도를 낮추는 것을 목표로 한다는 점이다.
※ 상업적인 PAPVD 계
1) Electron beam gun system
a) 열전자방사총을 이용
열
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박막이 형성되게 된다.
특징 및 장점
진공증착에서 증발된 기체들은 오로지 열 에너지로 인한 것이므로 에너지가 충분히 높질 못하여 밀착력이 떨어질 수 있다는 단점이 있다. 또한 증발입자의 움직임은 직선운동을 하기 때문에 입체적 모양
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쉽기 때문이다. PVD
evaporator : thermal, e-beam, laser
sputtering : DC, RF, 마그네트론스퍼터링
step coverage
CVD
homogeneous reaction & Heterogeneous reaction
Mass Transport Controlled vs Surface Reaction Controlled
Thermodynamics vs Kinetics
MOCVD
PECVD
HW-CVD
Furnace
ICP-CVD
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스퍼터링을 이용한 건식 세정 방법은 오염 물질 외에 웨이퍼나 그 위에 덮혀있는 박막 자체도 함께 떨어져 나가는 것과, 일차적으로 이탈된 오염 물질이 다시 표면에 퇴적될 수 있는 단점이 있다.
표
내용
Fig 2. 물리 건식세정 방법
Fig 3. 화학
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박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
세정공정
반도체용 가스,
고순도 약품
Photoresist, 현상액
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반도체용 가스
Resist 제거액
반도체용 가스
Sputtering Target
금속재료
세정액
어셈블리재료
조립공정
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박막의 두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
● 실리콘 산화막의 용도
● 반도체 공정
● 열 산화의 장점
● 건식산화의 장점과 단점
● 습식산화의 장점과 단
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스퍼터링(sputtering) 등으로 박막을 증착시켜도 박리하는 등의 결함이 생긴다. 그리고 사람의 입김이나 타액에는 체액이 포함되어 있기 때문에, 플랜지의 실(seal)부 등 진공장치에 부착되어 있는 미소먼지 등을 입김으로 불어내는일은 있을 수
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