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* 기판 위에 형성된 소자와 저 저항의 금속 박막으로 접속하여 희망하는 회로를 형성하는 기술.
* wafer 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄 선으로 연결하는 공정.
* 금속 박막의 형성 방법은 CVD 공정을 이용하여 만들기도 하지만 주로 sputterin
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반도체의 품질을 좌우할 정도로 중요한 공정입니다. 앞으로 미래에는 머리카락 수백만 분의 1 크기의 반도체 회로구조가 전기적 성격을 가지기 위해 더 얇고 균일하게 박막이 형성되는 증착 기술이 필요할 것으로 보입니다.
13. 금속배선
금속
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배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금속 식각에서 발생하는 문제를 쉽게 해결할 수 있기 때문에 CMP(chemical mechanical planarization : 화
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반도체 장비·재료업체는 대부분 연륜이 짧고, 중·소규모의 기업인 관계로 기술개발에 어려움을 겪고 있으며, 더구나 앞으로의 장비·재료 기술은 300㎜ 실리콘 기판을 사용하고, 구리배선을 사용하는 등 새로운 기술의 장비가 필요하므로 국
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배선을 하고 봉지제로 봉합하면 실제로 사용되는 칩이 완성되는 것이다.
참고문헌
반도체 설계의 이해
특허청 저 | 특허청 발행
반도체 제조기술의 이해
이국표 저 | 영진전문대학 출판부 발행
반도체 제대로 이해하기
강구창 저 | 지성사 발
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배선 설계를 적용해야 합니다. 에이디테크놀로지 반도체설계엔지니어 자기소개서
1. 에이디테크놀로지에 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하여 주십시오. (1000자)
2. 지원분야와 관련하여 전문성을 키우기 위해
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배선 구성, 신호 필터링 등 모든 가능성을 꼼꼼히 체크하며 원인을 분석해내는 과정에서 문제 해결의 즐거움을 느꼈습니다.
또한 팀 내에서는 중간 다리 역할을 자처하는 스타일입니다. 여러 사람이 각기 다른 배경에서 문제를 바라볼 때, 이
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